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SD1283

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  • 永利电子元器件深圳有限公司
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SD1283 技术参数
  • SD1275-01 功能描述:TRANS NPN RF MICROWAVE VHF M113 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):16V 频率 - 跃迁:- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):- 增益:9dB 功率 - 最大值:70W 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):20 @ 250mA,5V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):8A 安装类型:表面贴装 封装/外壳:M113 供应商器件封装:M113 标准包装:25 SD1275 功能描述:TRANS NPN RF MICROWAVE VHF M135 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):16V 频率 - 跃迁:- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):- 增益:9dB 功率 - 最大值:70W 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):20 @ 250mA,5V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):8A 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:M135 供应商器件封装:M135 标准包装:40 SD1274-01 功能描述:TRANS NPN RF MICROWAVE VHF M113 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):16V 频率 - 跃迁:- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):- 增益:10dB 功率 - 最大值:70W 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):20 @ 250mA,5V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):8A 安装类型:表面贴装 封装/外壳:M113 供应商器件封装:M113 标准包装:25 SD1274 功能描述:TRANS NPN RF MICROWAVE VHF M135 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):16V 频率 - 跃迁:- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):- 增益:10dB 功率 - 最大值:70W 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):20 @ 250mA,5V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):8A 安装类型:表面贴装 封装/外壳:M135 供应商器件封装:M135 标准包装:40 SD125SCU100A.T 功能描述:PIV 100V IO 15A CHIP SIZE 125MIL 制造商:smc diode solutions 系列:* 零件状态:在售 标准包装:20 SD12-PB SD12-R47-R SD12-SK SD12T1 SD12T1G SD-130 SD130EVK SD-130J SD130L SD130PA SD131EVK SD-136-G-2 SD138-11-31-211 SD1405 SD1410-001 SD1410-001L SD1410-002 SD1410-002L
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