SI2333CDS-TI-GE3

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SI2333CDS-TI-GE3
深圳廊盛科技有限公司
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SI2333CDS-TI-GE3
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
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SI2333CDS-TI-GE3 技术参数

SI2304DS,215 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.7A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:117 毫欧 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:4.6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:195pF @ 10V 功率 - 最大值:830mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB）标准包装:1 SI2302DS,215 功能描述:MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:85 毫欧 @ 3.6A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:650mV @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:10nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:230pF @ 10V 功率 - 最大值:830mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB）标准包装:1 SI2196-A10-GMR 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:WORLDWIDE HYBRID ANALOG AND DIGITAL TV TUNER WITH ANALOG VID - Tape and Reel 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:IC ATV/DTV TUNER HYBRID 40-QFN SI2196-A10-GM 功能描述:IC ATV/DTV TUNER HYBRID 40-QFN RoHS:是类别:RF/IF 和 RFID >> RF 接收器系列:* 产品培训模块:Lead (SnPb) Finish for COTS 产品变化通告:Product Discontinuation 09/Jan/2012 标准包装:50 系列:* 频率:850MHz ~ 2.175GHz 灵敏度:- 数据传输率 - 最大:- 调制或协议:- 应用:* 电流 - 接收:* 数据接口:PCB，表面贴装存储容量:- 天线连接器:PCB，表面贴装特点:- 电源电压:4.75 V ~ 5.25 V 工作温度:0°C ~ 85°C 封装/外壳:40-WFQFN 裸露焊盘供应商设备封装:40-TQFN-EP（6x6）包装:托盘 SI2185-A10-GMR 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:HYBRID DIGITAL AND ANALOG TV RECEIVER FOR DVB-T/C, PAL/SECAM - Tape and Reel 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:IC ATV/DTV TUNER HYBRID 48-QFN SI2337DS-T1-GE3 SI2338DS-T1-GE3 SI2341DS-T1-E3 SI2341DS-T1-GE3 SI2342DS-T1-GE3 SI2343CDS-T1-GE3 SI2343DS-T1 SI2343DS-T1-E3 SI2343DS-T1-GE3 SI2347DS-T1-GE3 SI2351DS-T1-E3 SI2351DS-T1-GE3 SI2356DS-T1-GE3 SI2365EDS-T1-GE3 SI2366DS-T1-GE3 SI2367DS-T1-GE3 SI2369DS-T1-GE3 SI2371EDS-T1-GE3