SI3872DV-T1-E3_代理商_批发/采购【买卖IC网】SI3872DV-T1-E3

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SI3872DV-T1-E3
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210479162106431621045786210493162104891
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
VISHAY
原厂封装
08/09+
-
全新原装100%正品保证质量

SI3872DV-T1-E3
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
VISHAY
原厂封装
08/09+
-

SI3872DV-T1-E3
深圳市新良宇电子有限公司
深圳市新良宇电子有限公司
联系人：李先生
电话：0755-8323763213302457603
地址：福田区振兴路华匀大厦221室
56912
Vishay Siliconix
TRANSISTOR 2500 mA,
23+
-
原装现货欢迎来电查询！

SI3872DV-T1-E3
深圳成德兴科技有限公司
深圳成德兴科技有限公司
联系人：马庆勇
电话：0755-82567711
地址：深南中路佳和电子大厦（华强三店）三楼3C072室
资质：营业执照
19320
VISHAY
SOT23-6
22+
-
原装现货可含税样品可拆

SI3872DV-T1-E3
深圳市大源实业科技有限公司
深圳市大源实业科技有限公司
联系人：李女士
电话：1530261991513762584085
地址：深圳市龙岗区五和大道山海商业广场C座707室
45800
VISHAY
SOT23-6
22+
-
原装，公司部分现货，有单来谈QQ:161...

SI3872DV-T1-E3
深圳市艾飞琪电子科技有限公司
深圳市艾飞琪电子科技有限公司
联系人：曹先生
电话：0755-239499810755-23037082
地址：深圳市福田区都会大厦B座29S
460
VISHAY
SOT163
12+
-
全新原装现货

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功能描述
MOSFET 30/-20V
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

SI3872DV-T1-E3 技术参数

SI3865DDV-T1-GE3 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:CNAD SWITCH WITH LEVEL-SHIFT - Tape and Reel 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:IC LOAD SWITCH LVL SHIFT 6TSOP 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:N / P-Channel 12 V 0.054 O Surface Mount Mosfet Load Switch - TSOP-6 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Dual N / P-Channel 12 V 0.054 O Surface Mount Mosfet Load Switch - TSOP-6 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Power Switch ICs - Power Distribution 12V 2.8A .83W SI3865CDV-T1-GE3 功能描述:MOSFET 12V 2.8A 0.83W 60mohm @ 4.5V RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube SI3865CDV-T1-E3 功能描述:MOSFET 1.8-12V 2.8A 1.5-8V Logic Level RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube SI3865BDV-T1-GE3 功能描述:MOSFET 8.0V 2.9A 0.83W 60mohm @ 4.5V RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube SI3865BDV-T1-E3 功能描述:MOSFET 8V 2.9A 0.06Ohm RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube SI3932DV-T1-GE3 SI3948DV-T1-E3 SI3948DV-T1-GE3 SI3951DV-T1-E3 SI3951DV-T1-GE3 SI3981DV-T1-E3 SI3981DV-T1-GE3 SI3983DV-T1-E3 SI3983DV-T1-GE3 SI3993CDV-T1-GE3 SI3993DV-T1-E3 SI3993DV-T1-GE3 SI4004DY-T1-GE3 SI4010-B1-GS SI4010-B1-GT SI4010-C2-GS SI4010-C2-GSR SI4010-C2-GT

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