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SI4136BM

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  • SI4136BMR
    SI4136BMR

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  • 深圳市海天鸿电子科技有限公司
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    资质:营业执照

  • 6500

  • SLAB

  • 原厂原装

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
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  • 865000

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  • 制造商
  • SILICON_LABS
  • 功能描述
SI4136BM 技术参数
  • SI4134T-GM 功能描述:射频无线杂项 Aero+ RF Synthesizer RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作频率:112 kHz to 205 kHz 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:8 mA 最大功率耗散: 工作温度范围:- 40 C to + 110 C 封装 / 箱体:VQFN-48 封装:Reel SI4134T-BM 功能描述:射频无线杂项 Aero+ RF Synthesizer RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作频率:112 kHz to 205 kHz 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:8 mA 最大功率耗散: 工作温度范围:- 40 C to + 110 C 封装 / 箱体:VQFN-48 封装:Reel SI4133WM-EVB 功能描述:KIT EVAL FOR SI4133W-BM 制造商:silicon labs 系列:- 零件状态:过期 类型:合成器 频率:- 配套使用产品/相关产品:SI4133W-BM 所含物品:板 标准包装:1 SI4133T-GM 功能描述:射频无线杂项 Aero RF Synthesizer RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作频率:112 kHz to 205 kHz 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:8 mA 最大功率耗散: 工作温度范围:- 40 C to + 110 C 封装 / 箱体:VQFN-48 封装:Reel SI4133T-BM 功能描述:射频无线杂项 Aero RF Synthesizer RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作频率:112 kHz to 205 kHz 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:8 mA 最大功率耗散: 工作温度范围:- 40 C to + 110 C 封装 / 箱体:VQFN-48 封装:Reel SI4136-F-GTR SI4136M-EVB SI4143DY-T1-GE3 SI-415-1 SI4154DY-T1-GE3 SI4156DY-T1-GE3 SI4158DY-T1-GE3 SI-415-C6050 SI-415-C8002 SI-415-C8012 SI4160DY-T1-GE3 SI4162DY-T1-GE3 SI4164DY-T1-GE3 SI4166DY-T1-GE3 SI4168DY-T1-GE3 SI4170DY-T1-GE3 SI4172DY-T1-GE3 SI4174DY-T1-GE3
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