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SI4435DY-TR技术参数

SI4435DYTRPBF 功能描述:MOSFET HEXFET P-CH Low 0.020 Ohm -30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube SI4436DY 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 60-V (D-S) MOSFET SI4436DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 60V 8.0A 5.0W 36mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube SI4436DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 60V 8.0A 5.0W 36mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube SI4438-C2A-GM 功能描述:IC RF TxRx + MCU General ISM < 1GHz 425MHz ~ 525MHz 20-VFQFN Exposed Pad 制造商:silicon labs 系列:- 包装:托盘 零件状态:有效 类型:TxRx + MCU 射频系列/标准:通用 ISM < 1GHz 协议:- 调制:FSK,GFSK,GMSK,OOK 频率:425MHz ~ 525MHz 数据速率(最大值):500kbps 功率 - 输出:20dBm(最小值) 灵敏度:-124dBm 存储容量:- 串行接口:SPI GPIO:4 电压 - 电源:1.8 V ~ 3.6 V 电流 - 接收:13.7mA 电流 - 传输:75mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:20-VFQFN 裸露焊盘 标准包装:490 SI4438DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 36A 7.8W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube SI4438DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 36A 7.8W 2.7mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube SI4442DY 功能描述:MOSFET 30V 22A 3.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube SI4442DY-E3 功能描述:MOSFET 30V 22A 3.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube SI4442DY-T1 功能描述:MOSFET 30V 22A 3.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube SI4435DYTRPBF SI4435FDY-T1-GE3 SI4436DY-T1-E3 SI4436DY-T1-GE3 SI4438-B1C-FM SI4438-B1C-FMR SI4438-C2A-GM SI4438-C2A-GMR SI4438DY-T1-E3 SI4438DY-T1-GE3 SI4442DY-T1-E3 SI4442DY-T1-GE3 SI4446DY-T1-E3 SI4446DY-T1-GE3 SI4447ADY-T1-GE3 SI4447DY-T1-E3 SI4447DY-T1-GE3 SI4448DY-T1-E3