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SIA923AEDJ-T1-GE3技术参数

SIA923EDJ 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET SIA923EDJ-T1-GE3 功能描述:MOSFET -20V 54mOhm@4.5V 4.5A P-Ch G-III RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube SIA929DJ 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET SIA929DJ-T1-GE3 功能描述:MOSFET -30V 64mOhm@10V 4.5A P-Ch G-III RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube SIA931DJ-T1-GE3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET DUAL P-CHAN 30V SC70-6L 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Dual P-Ch PPAK SC70 30V 100mohm @ 4.5V SIA950DJ-T1-GE3 功能描述:MOSFET 190V 0.95A 7.0W 3.8ohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube SIA975DJ 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET SIA975DJ-T1-GE3 功能描述:MOSFET -12V 41mOhm@4.5V 4.5A P-Ch G-III RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube SiAero+-EVB 功能描述:开发板和工具包 - 无线 AERO+ TRIPLE-BAND RoHS:否 制造商:Arduino 产品:Evaluation Boards 工具用于评估:AT32UC3L 核心:AVR32 频率: 接口类型:USB 工作电源电压:5 V SIAF 0.75 BLACK 制造商:SILTEK 功能描述: SIC401ACD-T1-GE3 SIC401BCD-T1-GE3 SIC402ACD-T1-GE3 SIC402BCD-T1-GE3 SIC403ACD-T1-GE3 SIC403BCD-T1-GE3 SIC403CD-T1-GE3 SIC413CB-T1-E3 SIC414CD-T1-GE3 SIC417CD-T1-E3 SIC424CD-T1-GE3 SIC521ACD-T1-GE3 SIC521CD-T1-GE3 SIC530CD-T1-GE3 SIC531ACD-T1-GE3 SIC531CD-T1-GE3 SIC532CD-T1-GE3 SIC620ACD-T1-GE3