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SIC820AED-T1-GE3

配单专家企业名单
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  • SIC820AED-T1-GE3
    SIC820AED-T1-GE3

    SIC820AED-T1-GE3

  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    联系人:朱先生

    电话:13714291754

    地址:广东省深圳市福田区华强北上航大厦西座四层

  • 2400

  • Vishay

  • PAK

  • 22+

  • -
  • SIC820AED-T1-GE3
    SIC820AED-T1-GE3

    SIC820AED-T1-GE3

  • 北京京北通宇电子元件有限公司
    北京京北通宇电子元件有限公司

    联系人:洪宝宇

    电话:17862669251

    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505(京北通宇)

    资质:营业执照

  • 200

  • VISHAY

  • NA

  • 23+

  • -
  • 电流传感器

  • SIC820AED-T1-GE3
    SIC820AED-T1-GE3

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  • 深圳市轩盛达电子有限公司
    深圳市轩盛达电子有限公司

    联系人:

    电话:1588932848313924772445

    地址:深圳市福田区华强北街道深南中路3006号佳和华强大厦五楼5C103

  • 10000

  • -
  • 原厂原装现货,代找紧缺料

  • SIC820AED-T1-GE3
    SIC820AED-T1-GE3

    SIC820AED-T1-GE3

  • 深圳市科宏特电子有限公司
    深圳市科宏特电子有限公司

    联系人:李瑞兵

    电话:18897698645

    地址:深圳市福田区深南中路华强电子世界三店佳和4C148

  • 36000000

  • Vishay

  • 22+

  • -
  • 原装正品

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SIC820AED-T1-GE3 技术参数
  • SIC780CD-T1-GE3 功能描述:功率驱动器IC DrMOS 50A 3-22Vin 5V V-PWM RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube SIC780ACD-T1-GE3 功能描述:功率驱动器IC DrMOS 50A 3-22Vin 3.3V V-PWM RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube SIC779CD-T1-GE3 功能描述:功率驱动器IC 40A 3-16V Built-In PWM Cont RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube SIC778CD-T1-GE3 功能描述:功率驱动器IC DrMOS Integrated Power Stage RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube SIC778ACD-T1-GE3 功能描述:功率驱动器IC DrMOS 40A 3-20Vin Thermal monitor flag RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube SICH38-M SICH50-C SICH50-M SICH75-C SICH75-M SI-CU1425001WW SI-CU5523001WW SI-CU55230N1WW SI-CU8725001WW SI-CU87250N1WW SICW06A10-C30 SICW06A10-M30 SID1132K SID1132K-TL SID1152K SID1152K-TL SID1182K SID1182K-TL
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