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SIR466DP-T1-GE3 MOS(场效应管)

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  • SIR466DP-T1-GE3 MOS(场效应管)
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  • 深圳市湘达电子有限公司
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    电话:0755-83229772-83202753

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  • 深圳市科思奇电子科技有限公司
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  • 深圳市澳亿芯电子科技有限公司
    深圳市澳亿芯电子科技有限公司

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  • 深圳庞田科技有限公司
    深圳庞田科技有限公司

    联系人:吴小姐

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SIR466DP-T1-GE3 MOS(场效应管) 技术参数
  • SIR383C 功能描述:Infrared (IR) Emitter 875nm 1.3V 100mA 11mW/sr @ 20mA 20° Radial 制造商:everlight electronics co ltd 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:红外线 电流 - DC 正向(If):100mA 不同 If 时的辐射强度(Ie)(最小值):11mW/sr @ 20mA 波长:875nm 电压 - 正向(Vf)(典型值):1.3V 视角:20° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:通孔 封装/外壳:径向 标准包装:500 SIR383 功能描述:Infrared (IR) Emitter 875nm 1.3V 100mA 11mW/sr @ 20mA 20° Radial 制造商:everlight electronics co ltd 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:红外线 电流 - DC 正向(If):100mA 不同 If 时的辐射强度(Ie)(最小值):11mW/sr @ 20mA 波长:875nm 电压 - 正向(Vf)(典型值):1.3V 视角:20° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:通孔 封装/外壳:径向 标准包装:500 SIR-34ST3F 功能描述:Infrared (IR) Emitter 950nm 1.3V 100mA 3.5mW/sr @ 50mA 54° T-1 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:红外(IR) 电流 - DC 正向(If):100mA 不同 If 时的辐射强度(Ie)(最小值):3.5mW/sr @ 50mA 波长:950nm 电压 - 正向(Vf)(典型值):1.3V 视角:54° 朝向:顶视图 工作温度:-25°C ~ 85°C(TA) 安装类型:通孔 封装/外壳:T-1 标准包装:2,000 SIR-341ST3FF 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.3V 75mA 5.6mW/sr @ 50mA 32° T-1 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:红外(IR) 电流 - DC 正向(If):75mA 不同 If 时的辐射强度(Ie)(最小值):5.6mW/sr @ 50mA 波长:940nm 电压 - 正向(Vf)(典型值):1.3V 视角:32° 朝向:顶视图 工作温度:-25°C ~ 85°C(TA) 安装类型:通孔 封装/外壳:T-1 标准包装:2,000 SIR333-A 功能描述:Infrared (IR) Emitter 875nm 1.3V 100mA 7.8mW/sr @ 20mA 20° Radial 制造商:everlight electronics co ltd 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:红外线 电流 - DC 正向(If):100mA 不同 If 时的辐射强度(Ie)(最小值):7.8mW/sr @ 20mA 波长:875nm 电压 - 正向(Vf)(典型值):1.3V 视角:20° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:通孔 封装/外壳:径向 标准包装:500 SIR492DP-T1-GE3 SIR494DP-T1-GE3 SIR496DP-T1-GE3 SIR-505STA47F SIR-563ST3FM SIR-568ST3F SIR-56ST3FF SIR606BDP-T1-RE3 SIR606DP-T1-GE3 SIR610DP-T1-RE3 SIR616DP-T1-GE3 SIR618DP-T1-GE3 SIR622DP-T1-GE3 SIR624DP-T1-GE3 SIR626DP-T1-RE3 SIR632DP-T1-RE3 SIR638ADP-T1-RE3 SIR638DP-T1-GE3
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