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  • SMUN5213T1G
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  • 13+/14+
  • 原装
1
SMUN5213T1G
参数信息:

功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 SS BR XSTR SPCL TR

RoHS:

制造商:ON Semiconductor

配置:

晶体管极性:NPN/PNP

典型输入电阻器:

典型电阻器比率:

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:

直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA

最大工作频率:

集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V

集电极连续电流:150 mA

峰值直流集电极电流:

功率耗散:200 mW

最大工作温度:

封装:Reel

SMUN5213T1G技术参数

SMUN5214DW 制造商:SECOS 制造商全称:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:NPN Multi-Chip Built-in Resistors Transistor SMUN5214DW1T1G 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 SS BR XSTR NPN 50V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel SMUN5214T1G 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 SS SC70 BR XSTR SPCL TR RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel SMUN5215DW 制造商:SECOS 制造商全称:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:NPN Multi-Chip Built-in Resistors Transistor SMUN5215T1G 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Digital Transistors (BRT) R1 = 10 k, R2 =  k SMUN5216DW 制造商:SECOS 制造商全称:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:NPN Multi-Chip Built-in Resistors Transistor SMUN5216DW1T1G 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 SS BR XSTR NPN 50V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel SMUN5230DW 制造商:SECOS 制造商全称:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:NPN Multi-Chip Built-in Resistors Transistor SMUN5230DW1T1G 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 SS BR XSTR DUAL 50V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel SMUN5231DW 制造商:SECOS 制造商全称:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:NPN Multi-Chip Built-in Resistors Transistor