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SSTVF010-70-4C-WHE

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SSTVF010-70-4C-WHE 技术参数
  • SSTVA32852AHT 功能描述:IC BUFFER DDR 24-48BIT 114-CABGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 逻辑 - 专用逻辑 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 25/Apr/2012 标准包装:1,500 系列:74SSTV 逻辑类型:DDR 的寄存缓冲器 电源电压:2.3 V ~ 2.7 V 位数:14 工作温度:0°C ~ 70°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:48-TFSOP(0.240",6.10mm 宽) 供应商设备封装:48-TSSOP 包装:带卷 (TR) SSTVA32852AH 功能描述:IC BUFFER DDR 24-48BIT 114-CABGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 逻辑 - 专用逻辑 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 25/Apr/2012 标准包装:1,500 系列:74SSTV 逻辑类型:DDR 的寄存缓冲器 电源电压:2.3 V ~ 2.7 V 位数:14 工作温度:0°C ~ 70°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:48-TFSOP(0.240",6.10mm 宽) 供应商设备封装:48-TSSOP 包装:带卷 (TR) SSTVA16859CKLFT 功能描述:寄存器 RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 逻辑类型:CMOS 逻辑系列:HC 电路数量:1 最大时钟频率:36 MHz 传播延迟时间: 高电平输出电流:- 7.8 mA 低电平输出电流:7.8 mA 电源电压-最大:6 V 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:SOT-38 封装:Tube SSTVA16859CKLF 功能描述:寄存器 RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 逻辑类型:CMOS 逻辑系列:HC 电路数量:1 最大时钟频率:36 MHz 传播延迟时间: 高电平输出电流:- 7.8 mA 低电平输出电流:7.8 mA 电源电压-最大:6 V 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:SOT-38 封装:Tube SSTVA16859CGLFT 功能描述:寄存器 RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 逻辑类型:CMOS 逻辑系列:HC 电路数量:1 最大时钟频率:36 MHz 传播延迟时间: 高电平输出电流:- 7.8 mA 低电平输出电流:7.8 mA 电源电压-最大:6 V 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:SOT-38 封装:Tube SSTVF16857DGG,518 SSTVF16857DGV,112 SSTVF16857DGV,118 SSTVF16857EV,518 SSTVF16859BG SSTVF16859BGLF SSTVF16859BGLFT SSTVF16859BGT SSTVF16859BKLF SSTVF16859BKLFT SSTVF16859BS,118 SSTVF16859BS,151 SSTVF16859BS,157 SSTVN16859BS,118 SSTVN16859BS,151 SSTVN16859BS,157 SSTW001A3B41-SRZ SSTW001A3B41Z
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