ST-L5007

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说明
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ST-L5007
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
32500
SUNLINK
SOP-24
23+
-
原厂原装正品现货

ST-L5007
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
SUMLINK
SOP-24
最新批号
-
一级代理，原装正品现货！！

ST-L5007
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-83789203多线17727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
11630
SUMLINK
现货低价出售
18+
-
原装正品，优势供应

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ST-L5007 技术参数

STL4P3LLH6 功能描述:MOSFET P-CH 30V 4A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? H6 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:56 毫欧 @ 2A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:639pF @ 25V 功率 - 最大值:2.4W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-PowerWDFN 供应商器件封装:PowerFlat?（2x2）标准包装:1 STL4P2UH7 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4A PWRFLAT2X2 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:100 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:4.8nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:510pF @ 10V 功率 - 最大值:2.4W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-PowerWDFN 供应商器件封装:PowerFlat?（2x2）标准包装:1 STL4N80K5 功能描述:MOSFET N-CH 800V 8POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.5 欧姆 @ 1.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:10.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:175pF @ 100V 功率 - 最大值:38W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?（5x6）标准包装:1 STL4N10F7 功能描述:MOSFET N-CH 100V 4.5A 8PWRFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.5A（Ta），18A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:70 毫欧 @ 2.25A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:7.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:408pF @ 50V 功率 - 最大值:2.9W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?（3.3x3.3）标准包装:1 STL4LN80K5 功能描述:MOSFET N-CH 800V 3A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:4nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:110pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:38W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.6 欧姆 @ 1.2A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:PowerFlat?（5x6）封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线标准包装:1 STL5N80K5 STL-600-3-01 STL-600-8-01 STL60N10F7 STL60N32N3LL STL60N3LLH5 STL60NH3LL STL60P4LLF6 STL-6-250-3-01 STL-6-250-8-01 STL62P3LLH6 STL-6-350-3-01 STL-6-350-8-01 STL-6-450-3-01 STL-6-450-8-01 STL65DN3LLH5 STL65N3LLH5 STL-6-600-3-01