STB1188-Y_代理商_批发/采购【买卖IC网】STB1188-Y

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

STB1188-Y
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210479162106431621045786210493162104891
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
AUK
SOT89
04+
-
假一罚十，百分百原装正品

STB1188-Y
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
101900
原装AUK
SOT-89
2013+PB
-
全新原装现货

STB1188-Y
深圳市特瑞斯科技有限公司
深圳市特瑞斯科技有限公司
联系人：李先生
电话：0755-8277481983249326
地址：销售一部：华强北上步工业区501栋401室销售二部：深圳市福田区红荔路上航大厦411室
资质：营业执照
1831
STAC
原厂原装
20+
-
公司常备大量原装正品现货！

STB1188-Y
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
AUK
SOT-89
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

STB1188-Y
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：苗凤军
电话：17623594308
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
3731
AUK
SOT-89
2236+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

STB1188-Y
深圳市桂鹏科技有限公司
深圳市桂鹏科技有限公司
联系人：田小姐/高先生/李小姐
电话：0755-828102988281039882810298
地址：深圳市罗湖区宝安南路国都大厦-国丽15D（地王大厦周边）
资质：营业执照
82810298
AUK
SOT-89
15+
-
深圳现货★原厂品质★提供PCB板配单业务

1/1页 40条/页共27条
1

您是不是要找： STB11N52K3 STB11N65M5 STB11NK40ZT4 STB11NK50ZT4 STB11NM60-1 STB11NM60FDT4 STB11NM60N-1 STB11NM60T4 STB11NM80T4

STB1188-Y PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

STB1188-Y 技术参数

STB10NK60ZT4 功能描述:MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:750 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:70nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1370pF @ 25V 功率 - 最大值:115W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB10N95K5 功能描述:MOSFET N-CH 950V 8A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:950V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:800 毫欧 @ 4A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:22nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:630pF @ 100V 功率 - 最大值:130W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB10N65K3 功能描述:MOSFET N-CH 650V 10A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1 欧姆 @ 3.6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:42nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1180pF @ 25V 功率 - 最大值:150W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB10N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:600 毫欧 @ 3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:13.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:400pF @ 100V 功率 - 最大值:85W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB1060TR 功能描述:DIODE SCHOTTKY 60V D2PAK 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（Io）:- 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:650mV @ 10A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:850μA @ 60V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 STB120N10F4 STB120N4F6 STB120N4LF6 STB120NF10T4 STB12100TR STB12-2-2 STB12-7-7 STB12NK80ZT4 STB12NM50FDT4 STB12NM50N STB12NM50ND STB12NM50T4 STB12NM60N STB12NM60N-1 STB13005-1 STB13007DT4 STB130N6F7 STB130NS04ZBT4