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STB50NE10L

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • STB50NE10L
    STB50NE10L

    STB50NE10L

  • 深圳市时兴宇电子有限公司
    深圳市时兴宇电子有限公司

    联系人:彭先生

    电话:0755-830415598397218513430523058

    地址:深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G

  • 9885

  • TO

  • 14+

  • -
  • 绝对公司原装现货

  • STB50NE10L
    STB50NE10L

    STB50NE10L

  • 深圳市科翼源电子有限公司
    深圳市科翼源电子有限公司

    联系人:朱小姐

    电话:13510998172

    地址:振华路100号深纺大厦C座2楼E16

    资质:营业执照

  • 2099

  • ST/意法

  • TO-263

  • 23+

  • -
  • 原厂原装正品现货

  • STB50NE10L-T4
    STB50NE10L-T4

    STB50NE10L-T4

  • 深圳市晶美隆科技有限公司
    深圳市晶美隆科技有限公司

    联系人:李林

    电话:0755-8251939113714584659李先生(可开13%增票,3

    地址:深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09

    资质:营业执照

  • 18530

  • ST

  • 11PBF

  • 22+

  • -
  • 全新原装正品现货

  • STB50NE10L
    STB50NE10L

    STB50NE10L

  • 深圳市琦凌凯科技有限公司
    深圳市琦凌凯科技有限公司

    联系人:彭先生

    电话:1331648214918276240346

    地址:深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A19

    资质:营业执照

  • 6000

  • ST

  • TO

  • 22+

  • -
  • 十年配单,只做原装

  • STB50NE10L-T4
    STB50NE10L-T4

    STB50NE10L-T4

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 3000

  • ST

  • 标准封装

  • 13+

  • -
  • 全新原装100%正品保证质量

  • STB50NE10L
    STB50NE10L

    STB50NE10L

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 5000

  • ST

  • TO

  • 05无铅

  • -
  • 假一罚十,百分百原装正品

  • STB50NE10L-T4
    STB50NE10L-T4

    STB50NE10L-T4

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 33965

  • ST

  • TO-263

  • 13+

  • -
  • 全新原装现货

  • STB50NE10L
    STB50NE10L

    STB50NE10L

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    联系人:赖先生

    电话:0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号

    资质:营业执照

  • 1277

  • ST

  • TO-262/263

  • 2024+

  • -
  • 诚诺原装现货

  • STB50NE10L
    STB50NE10L

    STB50NE10L

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 8650000

  • ST

  • TO-263

  • 最新批号

  • -
  • 一级代理.原装特价现货!

  • STB50NE10L-T4
    STB50NE10L-T4

    STB50NE10L-T4

  • 深圳市艾飞琪电子科技有限公司
    深圳市艾飞琪电子科技有限公司

    联系人:曹先生

    电话:0755-239499810755-23037082

    地址:深圳市福田区都会大厦B座29S

  • 7097

  • ST

  • SOT-263

  • 12+

  • -
  • 全新原装现货

STB50NE10L PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • MOSFET RO 511-STB40NF10L
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶体管极性
  • N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
  • 650 V
  • 闸/源击穿电压
  • 25 V
  • 漏极连续电流
  • 130 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作温度
  • 安装风格
  • Through Hole
  • 封装 / 箱体
  • Max247
  • 封装
  • Tube
STB50NE10L 技术参数
  • STB50N25M5 功能描述:MOSFET N-CH 250V 28A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):250V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):28A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):65 毫欧 @ 14A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):44nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1700pF @ 50V 功率 - 最大值:110W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB4NK60ZT4 功能描述:MOSFET N-CH 600V 4A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2 欧姆 @ 2A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):26nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):510pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB4NK60Z-1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 4A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2 欧姆 @ 2A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):26nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):510pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA 供应商器件封装:I2PAK 标准包装:50 STB4N62K3 功能描述:MOSFET N-CH 620V 3.8A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):620V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.8A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.95 欧姆 @ 1.9A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):14nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):450pF @ 50V 功率 - 最大值:70W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB46N30M5 功能描述:MOSFET N-CH 300V 53A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):300V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):53A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):40 毫欧 @ 26.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):95nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):4240pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB5NK50Z-1 STB5NK50ZT4 STB5NK52ZD-1 STB60100CTR STB60N55F3 STB60NE06L-16T4 STB60NF06LT4 STB60NF06T4 STB60NF10-1 STB60NF10T4 STB60NH02LT4 STB6N52K3 STB6N60M2 STB6N62K3 STB6N65K3 STB6N65M2 STB6N80K5 STB6NK60Z-1
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