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STB6N65M2

配单专家企业名单
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  • STB6N65M2
    STB6N65M2

    STB6N65M2

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人：张小姐

    电话：15961889159

    地址：江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质：营业执照

  • 5000

  • isc,iscsemi

  • D2PAK/TO-263

  • 2024+

  • -

  • 国产品牌，可替代原装

  • STB6N65M2
    STB6N65M2

    STB6N65M2

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人：刘先生

    电话：010-62962871629687318256329162961347

    地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质：营业执照

  • 0

  • 原厂封装

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 百分百原装正品假一赔十 电话010-62...

  • STB6N65M2
    STB6N65M2

    STB6N65M2

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人：雷春艳

    电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697

    地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质：营业执照

  • 4845

  • STMICROEL

  • DIGI-REEL?

  • 1521+

  • -

  • 全新原装现货

  • STB6N65M2
    STB6N65M2

    STB6N65M2

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人：鑫科润

    电话：185210072361851602286718516022897

    地址：上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • STMicroelectronics

  • D2PAK

  • 17+

  • -

  • 全新原装现货

  • STB6N65M2
    STB6N65M2

    STB6N65M2

  • 深圳市琦凌凯科技有限公司
    深圳市琦凌凯科技有限公司

    联系人：彭先生

    电话：1331648214918276240346

    地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A19

    资质：营业执照

  • 6000

  • ST

  • TO-263

  • 22+

  • -

  • 十年配单，只做原装

  • STB6N65M2
    STB6N65M2

    STB6N65M2

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人：朱先生/李小姐

    电话：0755-2394163213723794312（微信同号）

    地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 8650000

  • ST

  • TO-263

  • 最新批号

  • -

  • 一级代理.原装特价现货！

  • STB6N65M2
    STB6N65M2

    STB6N65M2

  • 深圳市华诺星科技有限公司
    深圳市华诺星科技有限公司

    联系人：胡泽君

    电话：18998911795

    地址：深圳市福田区振兴西路上步工业区405栋601-602

    资质：营业执照

  • 51

  • STMicroelectronics

  • 管件

  • 20+

  • -

  • 原装正品，专注原装正品十五年

  • STB6N65M2 其他三极管
    STB6N65M2 其他三极管

    STB6N65M2 其他三极管

  • 深圳庞田科技有限公司
    深圳庞田科技有限公司

    联系人：吴小姐

    电话：13612858787

    地址：深圳市龙岗区坂田街道杨美社区旺塘16巷12号13A

  • 84000

  • ST/意法

  • TO-263

  • 21+原装

  • -

  • 庞田无假货，只做原装正品，货真价实欢迎前...

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  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 650V 4A D2PAK
  • 制造商
  • stmicroelectronics
  • 系列
  • MDmesh??
  • 包装
  • 剪切带（CT）
  • 零件状态
  • 有效
  • FET 类型
  • MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能
  • 标准
  • 漏源极电压（Vdss）
  • 650V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
  • 4A（Tc）
  • 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
  • 1.35 欧姆 @ 2A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
  • 4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
  • 9.8nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
  • 226pF @ 100V
  • 功率 - 最大值
  • 60W
  • 工作温度
  • -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 封装/外壳
  • TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB
  • 供应商器件封装
  • D2PAK
  • 标准包装
  • 1
STB6N65M2 技术参数
  • STB6N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.2 欧姆 @ 2.25A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:232pF @ 100V 功率 - 最大值:60W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB6N52K3 功能描述:MOSFET N-CH 525V 5A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包装:剪切带（CT） 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:525V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.2 欧姆 @ 2.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:26nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:670pF @ 50V 功率 - 最大值:70W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB60NF10T4 功能描述:MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:60A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:23 毫欧 @ 40A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:104nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4270pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB60NF10-1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 80A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:23 毫欧 @ 40A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:104nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4270pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA 供应商器件封装:I2PAK 标准包装:50 STB60NF06T4 功能描述:MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:60A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:16 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:66nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1810pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB70NFS03LT4 STB70NH03LT4 STB75N20 STB75NF20 STB75NF75LT4 STB75NF75T4 STB75NH02LT4 STB76NF75 STB76NF80 STB78NF55-08 STB7ANM60N STB7N52K3 STB7NK80Z-1 STB7NK80ZT4 STB80N20M5 STB80N4F6AG STB80NE03L-06T4 STB80NF03L-04-1
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