STB6NB90T4

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STB6NB90T4
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210479162106431621045786210493162104891
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
sgs
-
假一罚十，百分百原装正品

STB6NB90T4
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
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原厂封装
最新批号
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功能描述
MOSFET N-CH 900V 6A
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

STB6NB90T4 技术参数

STB6N80K5 功能描述:MOSFET N-CH 800V 4.5A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.6 欧姆 @ 2A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:7.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:255pF @ 100V 功率 - 最大值:85W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB6N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 4A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.35 欧姆 @ 2A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:9.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:226pF @ 100V 功率 - 最大值:60W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB6N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.2 欧姆 @ 2.25A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:232pF @ 100V 功率 - 最大值:60W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB6N52K3 功能描述:MOSFET N-CH 525V 5A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:525V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.2 欧姆 @ 2.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:26nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:670pF @ 50V 功率 - 最大值:70W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB60NF10T4 功能描述:MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:60A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:23 毫欧 @ 40A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:104nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4270pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB70NH03LT4 STB75N20 STB75NF20 STB75NF75LT4 STB75NF75T4 STB75NH02LT4 STB76NF75 STB76NF80 STB78NF55-08 STB7ANM60N STB7N52K3 STB7NK80Z-1 STB7NK80ZT4 STB80N20M5 STB80N4F6AG STB80NE03L-06T4 STB80NF03L-04-1 STB80NF03L-04T4