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STC89LE58RD+40I-LQFP44

配单专家企业名单
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  • STC89LE58RD+40I-LQFP44
    STC89LE58RD+40I-LQFP44

    STC89LE58RD+40I-LQFP44

    优势
  • 万三科技(深圳)有限公司
    万三科技(深圳)有限公司

    联系人:王俊杰

    电话:188185984650755-23763516

    地址:深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C

  • 6500000

  • STC(宏晶)

  • TQFP80

  • 22+

  • -
  • 秉承原装 实单可议

  • STC89LE58RD+40I-LQFP44G
    STC89LE58RD+40I-LQFP44G

    STC89LE58RD+40I-LQFP44G

  • 深圳市晶美隆科技有限公司
    深圳市晶美隆科技有限公司

    联系人:李林

    电话:0755-8251939113714584659李先生(可开13%增票,3

    地址:深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09

    资质:营业执照

  • 18530

  • STC

  • LQFP44

  • 22+

  • -
  • 全新原装正品现货

  • STC89LE58RD+40I-LQFP44
    STC89LE58RD+40I-LQFP44

    STC89LE58RD+40I-LQFP44

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • STC代理

  • LQFP44

  • 最新批号

  • -
  • 一级代理.原装特价现货!

  • STC89LE58RD+40I-LQFP44G
    STC89LE58RD+40I-LQFP44G

    STC89LE58RD+40I-LQFP44G

  • 深圳市硅宇电子有限公司
    深圳市硅宇电子有限公司

    联系人:唐先生

    电话:134242936540755-83690762

    地址:深圳市福田区福虹路世界贸易广场A座1503

    资质:营业执照

  • 536

  • STC

  • LQFP

  • 11+

  • -
  • 原装现货/特价

  • STC89LE58RD+40I-LQFP44
    STC89LE58RD+40I-LQFP44

    STC89LE58RD+40I-LQFP44

  • 深圳市华雄半导体(集团)有限公司
    深圳市华雄半导体(集团)有限公司

    联系人:雷精云

    电话:18988598856

    地址:深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层

    资质:营业执照

  • 4707

  • STC

  • QFP-44

  • 2224+

  • -
  • 十年专营,供应原装正品!热卖现货!

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STC89LE58RD+40I-LQFP44 技术参数
  • STC6NF30V 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-TSSOP 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):25 毫欧 @ 3A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):600mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):9nC @ 2.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):800pF @ 25V 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) 供应商器件封装:8-TSSOP 标准包装:1 STC5NF30V 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 5A 8-TSSOP 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):31 毫欧 @ 2.5A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):600mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):11.5nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):460pF @ 15V 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) 供应商器件封装:8-TSSOP 标准包装:1 STC5NF20V 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 5A 8-TSSOP 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):40 毫欧 @ 2.5A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):600mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):11.5nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):460pF @ 15V 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) 供应商器件封装:8-TSSOP 标准包装:1 STC5DNF30V 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8TSSOP 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4.5A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):35 毫欧 @ 2.3A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):600mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):11.5nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):460pF @ 25V 功率 - 最大值:1.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) 供应商器件封装:8-TSSOP 标准包装:1 STC4054GR 功能描述:电池管理 800mA Linear Li Ion batery chargr RoHS:否 制造商:Texas Instruments 电池类型:Li-Ion 输出电压:5 V 输出电流:4.5 A 工作电源电压:3.9 V to 17 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:VQFN-24 封装:Reel STCC5021IQTR STCCP27ATBR STCD1020RDG6F STCD1040RDM6F STCD2400F35F STC-F STCF01PMR STCF02PNR STCF03ITBR STCF03PNR STCF03TBR STCF04TBR STCF05TBR STCF06TBR STCF07PNR STCH02 STCH02TR STCL1100YBFCWY5
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