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STD1664-Y

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  • STD1664-Y
    STD1664-Y

    STD1664-Y

  • 深圳市佳鑫特电子有限公司
    深圳市佳鑫特电子有限公司

    联系人:

    电话:134105056520755-83512964

    地址:深圳市福田区佳和大厦B座2311

  • 8800

  • AUK

  • SOT-89

  • 11+

  • -
  • 原厂原包装现货

  • STD1664-Y
    STD1664-Y

    STD1664-Y

  • 北京首天伟业科技有限公司
    北京首天伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6256544762566447

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1010室

    资质:营业执照

  • 5000

  • KEC

  • 原装正品

  • 09/10+

  • -
  • 假一罚十,百分百原装正品

  • STD1664-Y
    STD1664-Y

    STD1664-Y

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 1100

  • AUK

  • SOT-89

  • 04+

  • -
  • 全新原装现货

  • STD1664-Y
    STD1664-Y

    STD1664-Y

  • 深圳市澳亿芯电子科技有限公司
    深圳市澳亿芯电子科技有限公司

    联系人:李先生

    电话:86-755-8450174913760200702

    地址:深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706

    资质:营业执照

  • 220

  • AUK

  • SOT-89

  • 假一赔十!

  • -
  • 绝对原装现货!!

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STD1664-Y 技术参数
  • STD15NF10T4 功能描述:MOSFET N-CH 100V 23A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):23A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):65 毫欧 @ 12A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):40nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):870pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 STD15N65M5 功能描述:MOSFET N CH 650V 11A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):11A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):340 毫欧 @ 5.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):22nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):816pF @ 100V 功率 - 最大值:85W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 STD15N60M2-EP 功能描述:MOSFET N-CH 600V 11A EP DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):11A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):378 毫欧 @ 5.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):17nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):590pF @ 100V 功率 - 最大值:110W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:DPAK 标准包装:1 STD155N3LH6 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VI 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3 毫欧 @ 40A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):80nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3800pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STD155N3H6 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VI 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3 毫欧 @ 40A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):62nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3650pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 STD17NF03L-1 STD17NF03LT4 STD17NF25 STD17W-0 STD17W-1 STD17W-2 STD17W-3 STD17W-4 STD17W-5 STD17W-6 STD17W-7 STD17W-8 STD17W-9 STD17W-A STD17W-B STD17W-C STD17W-COLON STD17W-D
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