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STE2002DIE2

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  • STE2002DIE2
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  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 3000

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  • 全新原装100%正品保证质量

  • STE2002DIE2
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  • 北京元坤伟业科技有限公司
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    联系人:刘先生

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  • 北京元坤伟业科技有限公司
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  • 3000

  • ST

  • 标准封装

  • 08+

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  • 全新原装100%正品保证质量

  • STE2002DIE2-7
    STE2002DIE2-7

    STE2002DIE2-7

  • 深圳市英科美电子有限公司
    深圳市英科美电子有限公司

    联系人:张先生

    电话:0755-23903058

    地址:深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F

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  • STE2002DIE2
    STE2002DIE2

    STE2002DIE2

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:谭玉丽

    电话:19129491949(手机优先微信同号)0755-83267816

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  • STE2002DIE2-7
    STE2002DIE2-7

    STE2002DIE2-7

  • 深圳市大源实业科技有限公司
    深圳市大源实业科技有限公司

    联系人:李女士

    电话:1530261991513762584085

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  • SOP

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  • STE2002DIE2-9
    STE2002DIE2-9

    STE2002DIE2-9

  • 深圳市硅宇电子有限公司
    深圳市硅宇电子有限公司

    联系人:唐先生

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    资质:营业执照

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  • ST

  • TO-220

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  • STE2002DIE2$8TS
    STE2002DIE2$8TS

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

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  • 制造商
  • STMICROELECTRONICS
  • 制造商全称
  • STMicroelectronics
  • 功能描述
  • 81 x 128 single-chip LCD controller/driver
STE2002DIE2 技术参数
  • STE180NE10 功能描述:MOSFET N-CH 100V 180A ISOTOP 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):180A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):6 欧姆 @ 40A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):795nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):21000pF @ 25V 功率 - 最大值:360W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:10 STE180-75T2KI 功能描述:180μF Hermetically Sealed Tantalum Capacitors 75V Axial 1.5 Ohm 0.312" Dia x 0.641" L (7.92mm x 16.28mm) 制造商:vishay sprague 系列:SuperTan? Extended STE 包装:散装 零件状态:有效 电容:180μF 容差:±10% 电压 - 额定:75V ESR(等效串联电阻):1.5 欧姆 类型:密封 工作温度:-55°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:轴向 大小/尺寸:0.312" 直径 x 0.641" 长(7.92mm x 16.28mm) 高度 - 安装(最大值):- 引线间距:- 制造商尺寸代码:T2 特性:液态钽 不同温度时的使用寿命:- 标准包装:1 STE145N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 143A ISOTOP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):143A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):15 毫欧 @ 69A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):414nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):18500pF @ 100V 功率 - 最大值:679W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:10 STE-1428116RF96 功能描述:UNIVERSAL TRANSMITTER W/LITHIUM 制造商:steute wireless 系列:- 零件状态:在售 功能:发射器 调制或协议:sWave? 频率:915MHz 应用:通用 接口:- 灵敏度:- 功率 - 输出:- 数据速率(最大值):66kbps 特性:- 电压 - 电源:- 标准包装:1 STE140NF20D 功能描述:MOSFET N-CH 200V 140A ISOTOP 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):140A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):12 毫欧 @ 70A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):338nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):11100pF @ 25V 功率 - 最大值:500W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:10 STE400-100T4MI STE40NC60 STE40NK90ZD STE45NK80ZD STE4700-10T3KI STE470-75T3KI STE48NM50 STE48NM60 STE50DE100 STE53NC50 STE560-60T3KI STE6000-16T4KI STE6000-16T4MI STE70NM50 STE70NM60 STE750-75T4KI STE750-75T4MI STE88N65M5
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