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  • STFI13NK60Z2SK3797

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STFI13NK60Z2SK3797技术参数

STFI13NM60N 功能描述:MOSFET N-Ch 600V 0.28 Ohm 11A MDmesh II RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube STFI15N60M2-EP 功能描述:MOSFET N-CH 600V 11A I2PAKFP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):11A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):378 毫欧 @ 5.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):17nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):590pF @ 100V 功率 - 最大值:25W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-262-3 整包,I2Pak 供应商器件封装:I2PAKFP(TO-281) 标准包装:50 STFI15N65M5 功能描述:MOSFET N CH 650V 11A I2PAKFP RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:Mdmesh™ V 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 STFI15N95K5 功能描述:N-CHANNEL 950 V, 0.41 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包装:管件 零件状态:停產 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):950V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7.5A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):30nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):855pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):30W 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):500 毫欧 @ 5.5A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 供应商器件封装:I2PAKFP(TO-281) 封装/外壳:TO-262-3 整包,I2Pak 标准包装:50 STFI15NM65N 制造商:STMicroelectronics 功能描述:POWER MOSFET - Rail/Tube 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-CH 650V I2PAK-FP 制造商:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 650 V, 0.35 STFI20N65M5 制造商:STMicroelectronics 功能描述:Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) I2PAKFP Tube 制造商:STMicroelectronics 功能描述:POWER MOSFET - Rail/Tube 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N CH 650V 18A I2PAKFP 制造商:STMicroelectronics 功能描述:N-Ch 650 V 0.160 Ohm 18 A MDmesh(TM) V STFI20NK50Z 功能描述:MOSFET N-Ch 500V 0.23 Ohm 17A Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube STFI20NM65N 功能描述:MOSFET N-CH 650V 15A I2PAK-FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):15A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):270 毫欧 @ 7.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):44nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1280pF @ 50V 功率 - 最大值:30W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-262-3 整包,I2Pak 供应商器件封装:I2PAKFP(TO-281) 标准包装:50 STFI24N60M2 制造商:STMicroelectronics 功能描述:POWER MOSFET - Rail/Tube 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N CH 600V 18A TO281 制造商:STMicroelectronics 功能描述:600V,0.168,18A,N-Channel Power MOSFET 制造商:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 600V,0.168Ohm,18A Power MOSFET STFI24NM60N 功能描述:MOSFET N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A MDmesh II RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube STFI13NM60N STFI14N80K5 STFI15N60M2-EP STFI15N65M5 STFI15N95K5 STFI15NM65N STFI20N65M5 STFI20NK50Z STFI20NM65N STFI24N60M2 STFI24NM60N STFI260N6F6 STFI26N60M2 STFI26NM60N STFI28N60M2 STFI31N65M5 STFI34N65M5 STFI34NM60N