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  • STFI13NK60Z2SK3797

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STFI13NK60Z2SK3797技术参数

STFI13NM60N 功能描述:MOSFET N-Ch 600V 0.28 Ohm 11A MDmesh II RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube STFI15N65M5 功能描述:MOSFET N CH 650V 11A I2PAKFP RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:Mdmesh™ V 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 STFI15NM65N 制造商:STMicroelectronics 功能描述:POWER MOSFET - Rail/Tube 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-CH 650V I2PAK-FP 制造商:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 650 V, 0.35 STFI20N65M5 制造商:STMicroelectronics 功能描述:Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) I2PAKFP Tube 制造商:STMicroelectronics 功能描述:POWER MOSFET - Rail/Tube 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N CH 650V 18A I2PAKFP 制造商:STMicroelectronics 功能描述:N-Ch 650 V 0.160 Ohm 18 A MDmesh(TM) V STFI20NK50Z 功能描述:MOSFET N-Ch 500V 0.23 Ohm 17A Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube STFI24N60M2 制造商:STMicroelectronics 功能描述:POWER MOSFET - Rail/Tube 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N CH 600V 18A TO281 制造商:STMicroelectronics 功能描述:600V,0.168,18A,N-Channel Power MOSFET 制造商:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 600V,0.168Ohm,18A Power MOSFET STFI24NM60N 功能描述:MOSFET N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A MDmesh II RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube STFI260N6F6 制造商:STMicroelectronics 功能描述:POWER MOSFET - Rail/Tube 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-CH 60V 80A I2PAKFP STFI26NM60N 功能描述:MOSFET N-Ch 600V 0.135 Ohm 20A MDmesh II RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube STFI31N65M5 功能描述:MOSFET N CH 650V 22A I2PAKFP RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:Mdmesh™ V 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件