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STFI15N95K5

配单专家企业名单
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  • STFI15N95K5
    STFI15N95K5

    STFI15N95K5

  • 深圳市新纳斯科技有限公司
    深圳市新纳斯科技有限公司

    联系人:王小姐

    电话:0755-8363553213751165621

    地址:深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室

    资质:营业执照

  • 200

  • STMicroelectronics

  • TO-262-3

  • 17+

  • -
  • 原装正品,授权分销商现货库存,价优,货期...

  • STFI15N95K5
    STFI15N95K5

    STFI15N95K5

  • 深圳市华诺星科技有限公司
    深圳市华诺星科技有限公司

    联系人:胡泽君

    电话:18998911795

    地址:深圳市福田区振兴西路上步工业区405栋601-602

    资质:营业执照

  • 130

  • STMicroelectronics

  • 管件

  • 20+

  • -
  • 原装正品,专注原装正品十五年

  • 1/1页 40条/页 共5条 
  • 1
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  • 功能描述
  • N-CHANNEL 950 V, 0.41 OHM TYP.,
  • 制造商
  • stmicroelectronics
  • 系列
  • MDmesh? K5
  • 包装
  • 管件
  • 零件状态
  • 停產
  • FET 类型
  • N 沟道
  • 技术
  • MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)
  • 950V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
  • 7.5A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
  • 10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
  • 5V @ 100μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
  • 30nC @ 10V
  • Vgs(最大值)
  • ±30V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
  • 855pF @ 10V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散(最大值)
  • 30W
  • 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
  • 500 毫欧 @ 5.5A,10V
  • 工作温度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型
  • 通孔
  • 供应商器件封装
  • I2PAKFP(TO-281)
  • 封装/外壳
  • TO-262-3 整包,I2Pak
  • 标准包装
  • 50
STFI15N95K5 技术参数
  • STFI15N65M5 功能描述:MOSFET N CH 650V 11A I2PAKFP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):11A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):340 毫欧 @ 5.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):22nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):816pF @ 100V 功率 - 最大值:25W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-262-3 整包,I2Pak 供应商器件封装:I2PAKFP(TO-281) 标准包装:50 STFI15N60M2-EP 功能描述:MOSFET N-CH 600V 11A I2PAKFP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):11A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):378 毫欧 @ 5.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):17nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):590pF @ 100V 功率 - 最大值:25W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-262-3 整包,I2Pak 供应商器件封装:I2PAKFP(TO-281) 标准包装:50 STFI13NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):11A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):360 毫欧 @ 5.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):30nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):790pF @ 50V 功率 - 最大值:25W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-262-3 整包,I2Pak 供应商器件封装:I2PAKFP(TO-281) 标准包装:50 STFI13NK60Z 功能描述:MOSFET N-CH 600V 13A I2PAK FP 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):13A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):550 毫欧 @ 4.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):92nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2030pF @ 25V 功率 - 最大值:35W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-262-3 整包,I2Pak 供应商器件封装:I2PAKFP(TO-281) 标准包装:50 STFI13N95K3 功能描述:MOSFET N CH 950V 10A I2PAKFP 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):950V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):10A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):850 毫欧 @ 5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):51nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1620pF @ 100V 功率 - 最大值:40W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-262-3 整包,I2Pak 供应商器件封装:I2PAKFP(TO-281) 标准包装:50 STFI28N60M2 STFI31N65M5 STFI34N65M5 STFI34NM60N STFI40N60M2 STFI4N62K3 STFI5N95K3 STFI6N62K3 STFI6N65K3 STFI6N80K5 STFI7LN80K5 STFI7N80K5 STFI8N80K5 STFI9N60M2 STFI9N80K5 STFILED524 STFILED625 STFILED627
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