STFI20NK50ZTK18A50D

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

没找到与 " STFI20NK50ZTK18A50D " 相关的供应商

您可以：

1. 缩短或修改您的搜索词，重新搜索

2. 发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复发布紧急采购

1/1页 40条/页共40条
1

您是不是要找： STFI20NM65N STFI24N60M2 STFI24NM60N STFI260N6F6 STFI26N60M2 STFI26NM60N STFI28N60M2 STFI31N65M5 STFI34N65M5

STFI20NK50ZTK18A50D PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

STFI20NK50ZTK18A50D 技术参数

STFI20NK50Z 功能描述:MOSFET N-CH 500V 17A I2PAK FP 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:17A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:270 毫欧 @ 8.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:119nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2600pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-262-3 整包，I2Pak 供应商器件封装:I2PAKFP（TO-281）标准包装:50 STFI20N65M5 功能描述:MOSFET N CH 650V 18A I2PAKFP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:18A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:190 毫欧 @ 9A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:45nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1345pF @ 100V 功率 - 最大值:30W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-262-3 整包，I2Pak 供应商器件封装:I2PAKFP（TO-281）标准包装:50 STFI15NM65N 功能描述:MOSFET N-CH 650V I2PAK-FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:380 毫欧 @ 6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:33.3nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:983pF @ 50V 功率 - 最大值:30W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-262-3 整包，I2Pak 供应商器件封装:I2PAKFP（TO-281）标准包装:50 STFI15N95K5 功能描述:N-CHANNEL 950 V, 0.41 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包装:管件零件状态:停產 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:950V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:30nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:855pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:30W 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:500 毫欧 @ 5.5A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:I2PAKFP（TO-281）封装/外壳:TO-262-3 整包，I2Pak 标准包装:50 STFI15N65M5 功能描述:MOSFET N CH 650V 11A I2PAKFP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:11A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:340 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:22nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:816pF @ 100V 功率 - 最大值:25W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-262-3 整包，I2Pak 供应商器件封装:I2PAKFP（TO-281）标准包装:50 STFI34NM60N STFI40N60M2 STFI4N62K3 STFI5N95K3 STFI6N62K3 STFI6N65K3 STFI6N80K5 STFI7LN80K5 STFI7N80K5 STFI8N80K5 STFI9N60M2 STFI9N80K5 STFILED524 STFILED625 STFILED627 STFN42 STFPC311 STFPC311BTR