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STGIB8CH60TSE

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STGIB8CH60TSE 技术参数

STGIB15CH60TS-L 功能描述:SLLIMM(TM) - 2ND SERIES IPM, 3-P 制造商:stmicroelectronics 系列:SLLIMM?? 零件状态:有效类型:IGBT 配置:三相反相器电流:20A 电压:600V 电压 - 隔离:1500Vrms 封装/外壳:26-SDIP 模块标准包装:13 STGIB15CH60TS-E 功能描述:SLLIMM(TM) - 2ND SERIES IPM, 3-P 制造商:stmicroelectronics 系列:SLLIMM?? 零件状态:有效类型:IGBT 配置:三相反相器电流:20A 电压:600V 电压 - 隔离:1500Vrms 封装/外壳:26-SDIP 模块标准包装:13 STGIB10CH60TS-L 功能描述:SLLIMM(TM) - 2ND SERIES IPM, 3-P 制造商:stmicroelectronics 系列:SLLIMM?? 零件状态:有效类型:IGBT 配置:三相反相器电流:15A 电压:600V 电压 - 隔离:1500Vrms 封装/外壳:26-SDIP 模块标准包装:13 STGFW80V60F 功能描述:IGBT 600V 120A 79W TO-3PF 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:120A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):240A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.3V @ 15V，80A 功率 - 最大值:79W 开关能量:1.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:448nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/220ns 测试条件:400V，80A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-3P-3 整包安装类型:通孔供应商器件封装:TO-3PF 标准包装:30 STGFW40V60F 功能描述:IGBT 600V 80A 62.5W TO-3PF 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:80A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):160A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.3V @ 15V，40A 功率 - 最大值:62.5W 开关能量:456μJ（开），411μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 测试条件:400V，40A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-3P-3 整包安装类型:通孔供应商器件封装:TO-3PF 标准包装:30 STGIPN3H60 STGIPN3H60A STGIPN3H60AT STGIPN3H60-E STGIPN3H60-H STGIPN3H60T-H STGIPQ3H60T-HL STGIPQ3H60T-HLS STGIPQ3H60T-HZ STGIPQ3H60T-HZS STGIPQ5C60T-HL STGIPQ5C60T-HLS STGIPQ5C60T-HZS STGIPQ8C60T-HZ STGIPS10C60 STGIPS10C60-H STGIPS10C60T-H STGIPS10K60A