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STH16012

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  • 功能描述
  • TRANSISTOR | BJT | NPN | 450V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-218AC
STH16012 技术参数
  • STH15NB50FI 功能描述:MOSFET N-CH 500V 10.5A ISOWAT218 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):10.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):360 毫欧 @ 7.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):80nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3400pF @ 25V 功率 - 最大值:80W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:ISOWATT-218-3 供应商器件封装:ISOWATT-218 标准包装:30 STH150N10F7-2 功能描述:MOSFET N-CH 100V 90A H2PAK-2 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VII 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):110A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3.9 毫欧 @ 55A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):117nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):8115pF @ 50V 功率 - 最大值:250W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 凸片)变型 供应商器件封装:H2PAK 标准包装:1 STH145N8F7-2AG 功能描述:MOSFET N-CH 80V 90A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽车级,AEC-Q101,STripFET? F7 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):80V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):90A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4 毫欧 @ 45A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):96nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):6340pF @ 40V 功率 - 最大值:200W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 凸片)变型 供应商器件封装:H2Pak-2 标准包装:1 STH140N8F7-2 功能描述:MOSFET N-CH 80V 90A H2PAK-2 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VII 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):80V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):90A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4 毫欧 @ 45A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):96nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):6340pF @ 40V 功率 - 最大值:200W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 凸片)变型 供应商器件封装:H2PAK 标准包装:1 STH140N6F7-6 功能描述:N-CHANNEL 60 V, 0.0028 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3.2 毫欧 @ 40A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):55nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3100pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):* 工作温度:175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-7,D2Pak(6 引线+接片) 供应商器件封装:H2PAK-6 标准包装:1 STH185N10F3-6 STH-19 STH2 STH-20 STH210N75F6-2 STH-22 STH240N10F7-2 STH240N10F7-6 STH240N75F3-2 STH240N75F3-6 STH245N75F3-6 STH250N55F3-6 STH250N6F3-6 STH260N6F6-2 STH260N6F6-6 STH265N6F6-2AG STH265N6F6-6AG STH270N4F3-2
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