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STI18N65M2

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • STI18N65M2
    STI18N65M2

    STI18N65M2

  • 深圳市英科美电子有限公司
    深圳市英科美电子有限公司

    联系人:张先生

    电话:0755-23903058

    地址:深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F

  • 16800

  • ST/意法

  • TO-220

  • 22+

  • -
  • 每一片都来自原厂,正品保证

  • STI18N65M2
    STI18N65M2

    STI18N65M2

  • 深圳市亚泰盈科电子有限公司
    深圳市亚泰盈科电子有限公司

    联系人:郑小姐

    电话:15338868823

    地址:公司地址:★★深圳市福田区佳和大厦B座1410-1411

    资质:营业执照

  • 1000

  • STMicroel

  • TO262

  • 16+

  • -
  • 原装进口自己现货假一赔十

  • STI18N65M2
    STI18N65M2

    STI18N65M2

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • STMicroelectronics

  • I2PAK

  • 17+

  • -
  • 全新原装现货

  • STI18N65M2
    STI18N65M2

    STI18N65M2

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • ST

  • TO262

  • 最新批号

  • -
  • 一级代理.原装特价现货!

  • STI18N65M2
    STI18N65M2

    STI18N65M2

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-62962871629687318256329162961347

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 0

  • 原厂封装

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百原装正品假一赔十 电话010-62...

  • STI18N65M2
    STI18N65M2

    STI18N65M2

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 5000

  • STMICROEL

  • 管件

  • 1521+

  • -
  • 全新原装现货

  • STI18N65M2 其他三极管
    STI18N65M2 其他三极管

    STI18N65M2 其他三极管

  • 深圳庞田科技有限公司
    深圳庞田科技有限公司

    联系人:吴小姐

    电话:13612858787

    地址:深圳市龙岗区坂田街道杨美社区旺塘16巷12号13A

  • 36000

  • ST/意法

  • TO262

  • 21+原装

  • -
  • 庞田无假货,只做原装正品,货真价实欢迎前...

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  • 1
STI18N65M2 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK
  • 制造商
  • stmicroelectronics
  • 系列
  • MDmesh? M2
  • 包装
  • 管件
  • 零件状态
  • 有效
  • FET 类型
  • MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能
  • 标准
  • 漏源极电压(Vdss)
  • 650V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
  • 12A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
  • 330 毫欧 @ 6A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
  • 4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
  • 20nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
  • 770pF @ 100V
  • 功率 - 最大值
  • 110W
  • 工作温度
  • 150°C(TJ)
  • 安装类型
  • 通孔
  • 封装/外壳
  • TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA
  • 供应商器件封装
  • I2PAK
  • 标准包装
  • 50
STI18N65M2 技术参数
  • STI16N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):12A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):279 毫欧 @ 6A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):31nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1250pF @ 100V 功率 - 最大值:90W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA 供应商器件封装:I2PAK 标准包装:50 STI150N10F7 功能描述:MOSFET N-CH 100V 110A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):110A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.2 毫欧 @ 55A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):117nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):8115pF @ 50V 功率 - 最大值:250W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA 供应商器件封装:I2PAK(TO-262) 标准包装:50 STI14NM50N 功能描述:MOSFET N CH 500V 12A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):12A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):320 毫欧 @ 6A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):27nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):816pF @ 50V 功率 - 最大值:90W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA 供应商器件封装:I2PAK 标准包装:50 STI13NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):11A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):360 毫欧 @ 5.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):30nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):790pF @ 50V 功率 - 最大值:90W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA 供应商器件封装:I2PAK 标准包装:50 STI13005-1 功能描述:TRANS NPN 400V 3A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):400V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):5V @ 750mA,3A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):8 @ 2A,5V 功率 - 最大值:30W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 供应商器件封装:I-Pak 标准包装:75 STI23NM60N STI23NM60ND STI24N60M2 STI24NM60N STI24NM65N STI25NM60ND STI260N6F6 STI26NM60N STI270N4F3 STI28N60M2 STI300N4F6 STI30N65M5 STI30NM60N STI32N65M5 STI33N60M2 STI33N65M2 STI34N65M5 STI35N65M5
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