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STI5N52U

配单专家企业名单
  • 型号
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  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • STI5N52U
    STI5N52U

    STI5N52U

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 250

  • STMICROEL

  • 管件

  • 1521+

  • -
  • 全新原装现货

  • STI5N52U
    STI5N52U

    STI5N52U

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • STMicroelectronics

  • I2PAK

  • 17+

  • -
  • 全新原装现货

  • STI5N52U
    STI5N52U

    STI5N52U

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:何芝

    电话:19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 3526

  • ST

  • I2PAK

  • 14+

  • -
  • 原装正品,现货库存,400-800-03...

  • STI5N52U
    STI5N52U

    STI5N52U

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人:张小姐

    电话:15961889159

    地址:江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质:营业执照

  • 5000

  • isc,iscsemi

  • I2PAK/TO-262

  • 2024+

  • -
  • 国产品牌,可替代原装

  • STI5N52U
    STI5N52U

    STI5N52U

  • 深圳市华诺星科技有限公司
    深圳市华诺星科技有限公司

    联系人:胡泽君

    电话:18998911795

    地址:深圳市福田区振兴西路上步工业区405栋601-602

    资质:营业执照

  • 1000

  • STMicroelectronics

  • 带卷(TR)

  • 20+

  • -
  • 原装正品,专注原装正品十五年

  • 1/1页 40条/页 共11条 
  • 1
STI5N52U PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • MOSFET N-Ch 525V 1.28 Ohm 4.4A UltraFASTmesh
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶体管极性
  • N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
  • 650 V
  • 闸/源击穿电压
  • 25 V
  • 漏极连续电流
  • 130 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作温度
  • 安装风格
  • Through Hole
  • 封装 / 箱体
  • Max247
  • 封装
  • Tube
STI5N52U 技术参数
  • STI57N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 42A I2PAK-3 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):42A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):63 毫欧 @ 21A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):98nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):4200pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA 供应商器件封装:I2PAK 标准包装:50 STI55NF03L 功能描述:MOSFET N-CH 30V 55A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):55A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):13 毫欧 @ 27.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):27nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1265pF @ 25V 功率 - 最大值:80W 工作温度:-60°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA 供应商器件封装:I2PAK 标准包装:50 STI4N62K3 功能描述:MOSFET N-CH 620V 3.8A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):620V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.8A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2 欧姆 @ 1.9A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):22nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):550pF @ 50V 功率 - 最大值:70W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA 供应商器件封装:I2PAK 标准包装:50 STI45N10F7 功能描述:MOSFET N-CH 100V 45A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VII 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):45A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):18 毫欧 @ 22.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):25nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1640pF @ 50V 功率 - 最大值:60W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA 供应商器件封装:I2PAK(TO-262) 标准包装:50 STI42N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 33A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):33A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):79 毫欧 @ 16.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):100nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):4650pF @ 100V 功率 - 最大值:190W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA 供应商器件封装:I2PAK 标准包装:50 STIDMW830112112AAA STIDMW840042112AAA STIDMW840082112AAA STIDMW840112112AAA STIEC45-24ACS STIEC45-24AS STIEC45-26ACS STIEC45-26AS STIEC45-27AS STIEC45-28ACS STIEC45-28AS STIEC45-30ACS STIEC45-30AS STIEC45-33ACS STIEC45-33AS STIFP218735N024KOR STIFP218740N024KOR STIFP218745N024KOR
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