您好,欢迎来到买卖IC网 登录 | 免费注册
您现在的位置:买卖IC网 > S字母型号搜索 >

STL7027A

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作

没找到与 " STL7027A " 相关的供应商

您可以:

1. 缩短或修改您的搜索词,重新搜索

2. 发布紧急采购,3分钟左右您将得到回复 发布紧急采购

  • 1/1页 40条/页 共40条 
  • 1
STL7027A PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
STL7027A 技术参数
  • STL6P3LLH6 功能描述:MOSFET P-CH 30V 6A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? H6 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):30 毫欧 @ 3A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA(最小) 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):12nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1450pF @ 25V 功率 - 最大值:2.9W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?(3.3x3.3) 标准包装:1 STL6NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 5.75A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5.75A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):920 毫欧 @ 2.3A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):13nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):420pF @ 50V 功率 - 最大值:70W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFLAT?(5x5) 标准包装:1 STL6N3LLH6 功能描述:MOSFET N-CH 30V PWRFLT2X2 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VI 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):- 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):25 毫欧 @ 3A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA(最小) 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):3.6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):283pF @ 24V 功率 - 最大值:2.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-PowerWDFN 供应商器件封装:PowerFlat?(2x2) 标准包装:1 STL6N2VH5 功能描述:MOSFET N-CH 20V 6A 6PWRFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):- 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):30 毫欧 @ 3A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):700mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):550pF @ 16V 功率 - 最大值:2.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-PowerWDFN 供应商器件封装:PowerFlat?(2x2) 标准包装:1 STL66N3LLH5 功能描述:MOSFET N-CH 30V 21A POWERFLAT56 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5.8 毫欧 @ 10.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):12nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1500pF @ 25V 功率 - 最大值:72W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?(5x6) 标准包装:1 STL75N8LF6 STL75NH3LL STL7DN6LF3 STL7LN80K5 STL7N10F7 STL7N60M2 STL7N6F7 STL7N6LF3 STL7N80K5 STL7NM60N STL80N3LLH6 STL80N4LLF3 STL80N75F6 STL-8-250-12-01 STL-8-250-16-01 STL-8-250-20-01 STL-8-250-3-01 STL-8-250-8-01
配单专家

在采购STL7027A进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

友情提醒:为规避购买STL7027A产品风险,建议您在购买STL7027A相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明:以上所展示的STL7027A信息由会员自行提供,STL7027A内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

买卖IC网 (www.mmic.net.cn) 版权所有©2006-2019
深圳市硕赢互动信息技术有限公司 | 粤公网安备 44030402000118号 | 粤ICP备14064281号