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STN3400AS

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  • STN3400AS-TRG
    STN3400AS-TRG

    STN3400AS-TRG

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 10000

  • SEMTRON

  • SOT-23

  • 2016+

  • -
  • 原装正品,假一罚十

  • STN3400AS
    STN3400AS

    STN3400AS

  • 深圳市亚泰盈科电子有限公司
    深圳市亚泰盈科电子有限公司

    联系人:郑小姐

    电话:15338868823

    地址:公司地址:★★深圳市福田区佳和大厦B座1410-1411

    资质:营业执照

  • 31852

  • SEMTRON

  • SOT-23

  • 2022+

  • -
  • 专业供应MOS/LDO/晶体管/有大量价...

  • STN3400AS-TRG
    STN3400AS-TRG

    STN3400AS-TRG

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 30000

  • SEMTRON-M

  • SOT-23

  • 2014+(roh

  • -
  • 全新原装现货

  • STN3400AS-TRG
    STN3400AS-TRG

    STN3400AS-TRG

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • SEMTRON

  • SOT-23

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STN3400AS 技术参数
  • STN2NF10 功能描述:MOSFET N-CH 100V 2.4A SOT-223 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.4A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):260 毫欧 @ 1.2A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):14nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):280pF @ 25V 功率 - 最大值:3.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 STN2580 功能描述:TRANS NPN 400V 1A SOT-223 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):400V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1V @ 200mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):60 @ 250mA,5V 功率 - 最大值:1.6W 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 STN1NK80Z 功能描述:MOSFET N-CH 800V 0.25A SOT223 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):800V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):250mA(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):16 欧姆 @ 500mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):7.7nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):160pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 STN1NK60Z 功能描述:MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):300mA(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):15 欧姆 @ 400mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):6.9nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):94pF @ 25V 功率 - 最大值:3.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 STN1NF20 功能描述:MOSFET N-CH 200V 1A SOT-223 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.5 欧姆 @ 500mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):5.7nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):90pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 STN5PF02V STN690A STN715 STN724 STN749 STN790A STN817A STN83003 STN851 STN851-A STN878 STN888 STN9260 STN93003 STN9360 STN951 STNRG288A STNRG288ATR
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