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STN8800B1T

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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
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    联系人:雷春艳

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  • 深圳市澳亿芯电子科技有限公司
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  • 深圳市硅宇电子有限公司
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STN8800B1T 技术参数
  • STN878 功能描述:TRANS NPN 30V 5A SOT-223 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):5A 电压 - 集射极击穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.2V @ 500mA,10A 电流 - 集电极截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 500mA,1V 功率 - 最大值:1.6W 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 STN851 功能描述:TRANS NPN 60V 5A SOT-223 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):5A 电压 - 集射极击穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 200mA,5A 电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):150 @ 2A,1V 功率 - 最大值:1.6W 频率 - 跃迁:130MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 STN83003 功能描述:TRANS NPN 400V 1.5A SOT-223 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1.5A 电压 - 集射极击穿(最大值):400V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 100mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):16 @ 350mA,5V 功率 - 最大值:1.6W 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 STN817A 功能描述:TRANS PNP 80V 1.5A SOT-223 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1.5A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):30 @ 1A,2V 功率 - 最大值:1.6W 频率 - 跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 STN790A 功能描述:TRANS PNP 30V 3A SOT223 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):700mV @ 100mA,3A 电流 - 集电极截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 500mA,2V 功率 - 最大值:1.6W 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 STNRG388A STNRG388ATR STNRGPF01 STNRGPF01TR STNS01PUR STO-01-187N STO-41T-187N STOD02PUR STOD02TPUR STOD03ASTPUR STOD03ATPUR STOD03BTPUR STOD1317BTPUR STOD13AMTPUR STOD13ASTPUR STOD13ATPUR STOD13BSTPUR STOD13CMTPUR
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