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STP3401AS

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  • STP3401AS-TRG
    STP3401AS-TRG

    STP3401AS-TRG

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 10000

  • SEMTRON

  • SOT-23

  • 2016+

  • -
  • 原装正品,假一罚十

  • STP3401AS
    STP3401AS

    STP3401AS

  • 深圳市亚泰盈科电子有限公司
    深圳市亚泰盈科电子有限公司

    联系人:郑小姐

    电话:15338868823

    地址:公司地址:★★深圳市福田区佳和大厦B座1410-1411

    资质:营业执照

  • 31852

  • SEMTRON

  • SOT-23

  • 2022+

  • -
  • 专业供应MOS/LDO/晶体管/有大量价...

  • STP3401AS-TRG
    STP3401AS-TRG

    STP3401AS-TRG

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 2850

  • SEMTRON

  • SOT23-3

  • 1128+

  • -
  • 全新原装现货

  • STP3401AS-TRG
    STP3401AS-TRG

    STP3401AS-TRG

  • 深圳市澳亿芯电子科技有限公司
    深圳市澳亿芯电子科技有限公司

    联系人:李先生

    电话:86-755-8450174913760200702

    地址:深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706

    资质:营业执照

  • 1486

  • SEMTRON-M

  • SOT23

  • 假一赔十!

  • -
  • 原装自己现货!!

  • STP3401AS-TRG
    STP3401AS-TRG

    STP3401AS-TRG

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • SEMTRON

  • SIT23-3

  • 最新批号

  • -
  • 一级代理.原装特价现货!

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STP3401AS 技术参数
  • STP33N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 24A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):24A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):140 毫欧 @ 12A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):41.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1790pF @ 100V 功率 - 最大值:190W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 STP33N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 26A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):26A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):125 毫欧 @ 13A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):45.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1781pF @ 100V 功率 - 最大值:190W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 STP33N60DM2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 24A 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? DM2 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):24A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):130 毫欧 @ 12A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):43nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1870pF @ 100V 功率 - 最大值:190W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 STP32NM50N 功能描述:MOSFET N CH 500V 22A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):22A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):130 毫欧 @ 11A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):62.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1973pF @ 50V 功率 - 最大值:190W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 STP32N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 24A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):24A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):119 毫欧 @ 12A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):72nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3320pF @ 100V 功率 - 最大值:150W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STP36NF06 STP36NF06FP STP36NF06L STP38N65M5 STP3HNK90Z STP3LN62K3 STP3LN80K5 STP3N150 STP3N62K3 STP3N80K5 STP3NB100 STP3NK100Z STP3NK50Z STP3NK60Z STP3NK60ZFP STP3NK80Z STP3NK90Z STP3NK90ZFP
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