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STP40N03L-20

配单专家企业名单
  • 型号
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  • 说明
  • 操作
  • STP40N03L-20
    STP40N03L-20

    STP40N03L-20

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 5000

  • STM

  • 96

  • -
  • 假一罚十,百分百原装正品

  • STP40N03L-20
    STP40N03L-20

    STP40N03L-20

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 5000

  • ST

  • TO-220

  • 15+

  • -
  • 原装正品,假一罚十

  • STP40N03L-20
    STP40N03L-20

    STP40N03L-20

  • 深圳市英科美电子有限公司
    深圳市英科美电子有限公司

    联系人:张先生

    电话:0755-23903058

    地址:深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F

  • 16800

  • ST/意法

  • TO-220

  • 22+

  • -
  • 每一片都来自原厂,正品保证

  • STP40N03L-20
    STP40N03L-20

    STP40N03L-20

  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    联系人:欧阳先生

    电话:13714291754

    地址:广东省深圳市福田区华强北上航大厦西座四层

  • 5000

  • ST

  • TO-220

  • 10+

  • -
  • 原装现货优势库存

  • STP40N03L-20
    STP40N03L-20

    STP40N03L-20

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 10500

  • ST

  • TO-220

  • 1521+

  • -
  • 全新原装现货

  • 1/1页 40条/页 共24条 
  • 1
STP40N03L-20 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 制造商
  • STMICROELECTRONICS
  • 制造商全称
  • STMicroelectronics
  • 功能描述
  • N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ”ULTRA HIGH DENSITY” POWER MOS TRANSISTOR
STP40N03L-20 技术参数
  • STP400N4F6 功能描述:MOSFET N-CH 40V TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VI 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):120A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.7 毫欧 @ 60A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):377nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):20000pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 STP3NK90ZFP 功能描述:MOSFET N-CH 900V 3A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):900V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.8 欧姆 @ 1.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):22.7nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):590pF @ 25V 功率 - 最大值:25W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STP3NK90Z 功能描述:MOSFET N-CH 900V 3A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):900V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.8 欧姆 @ 1.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):22.7nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):590pF @ 25V 功率 - 最大值:90W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STP3NK80Z 功能描述:MOSFET N-CH 800V 2.5A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):800V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.5 欧姆 @ 1.25A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):19nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):485pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STP3NK60ZFP 功能描述:MOSFET N-CH 600V 2.4A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.4A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3.6 欧姆 @ 1.2A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):11.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):311pF @ 25V 功率 - 最大值:20W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STP410N4F7AG STP42N60M2-EP STP42N65M5 STP43N60DM2 STP45N10F7 STP45N40DM2AG STP45N60DM2AG STP45N65M5 STP45NE06 STP45NF06 STP45NF3LL STP46NF30 STP4CMPQTR STP4LN80K5 STP4N150 STP4N52K3 STP4N62K3 STP4N80K5
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