STP5N50_代理商_批发/采购【买卖IC网】STP5N50

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

STP5N50
深圳市琦凌凯科技有限公司
深圳市琦凌凯科技有限公司
联系人：彭先生
电话：1331648214918276240346
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A19
资质：营业执照
6000
ST
TO-220
22+
-
十年配单，只做原装

STP5N50FP
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
联系人：欧阳先生
电话：13714291754
地址：广东省深圳市福田区华强北上航大厦西座四层
5000
ST
TO-220F
10+
-
原装现货优势库存

STP5N50FI
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210479162106431621045786210493162104891
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
ST
N/A
-
假一罚十，百分百原装正品

STP5N50
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
-
假一罚十，百分百原装正品

STP5N50
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
4810
ST
TO-220
13+
-
原装正品现货库存

STP5N50
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
18652
ST
TO-220
2024+
-
绝对现货

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1

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制造商
未知厂家
制造商全称
未知厂家
功能描述
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 4.5A I(D) | TO-220

STP5N50 技术参数

STP5N120 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 4.4A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.7A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.5 欧姆 @ 2.3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:55nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:120pF @ 25V 功率 - 最大值:160W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220-3 标准包装:50 STP5N105K5 功能描述:MOSFET N-CH 1050V 3A TO-220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1050V（1.05kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.5 欧姆 @ 1.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:12.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:210pF @ 100V 功率 - 最大值:85W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 STP57N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 42A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:42A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:63 毫欧 @ 21A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:98nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4200pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 STP55NF06L 功能描述:MOSFET N-CH 60V 55A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:55A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:18 毫欧 @ 27.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.7V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:37nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1700pF @ 25V 功率 - 最大值:95W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STP55NF06FP 功能描述:MOSFET N-CH 60V 50A TO220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:50A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:18 毫欧 @ 27.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:60nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1300pF @ 25V 功率 - 最大值:30W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STP5NK40Z STP5NK50Z STP5NK50ZFP STP5NK52ZD STP5NK60Z STP5NK60ZFP STP5NK65Z STP5NK65ZFP STP5NK80Z STP5NK80ZFP STP5NK90Z STP60N3LH5 STP60N55F3 STP60NE06-16 STP60NE06L-16 STP60NF03L STP60NF06 STP60NF06FP