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STP60NE03L-12

配单专家企业名单
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  • STP60NE03L-12
    STP60NE03L-12

    STP60NE03L-12

  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    联系人:欧阳先生

    电话:13714291754

    地址:广东省深圳市福田区华强北上航大厦西座四层

  • 5000

  • ST

  • TO-220

  • 10+

  • -
  • 原装现货优势库存

  • STP60NE03L-12
    STP60NE03L-12

    STP60NE03L-12

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人:张小姐

    电话:15961889159

    地址:江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质:营业执照

  • 5000

  • isc,iscsemi

  • TO-220

  • 2024+

  • -
  • 国产品牌,可替代原装

  • STP60NE03L-12
    STP60NE03L-12

    STP60NE03L-12

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 15000

  • STM00

  • TO220

  • 00+

  • -
  • 全新原装现货

  • STP60NE03L-12
    STP60NE03L-12

    STP60NE03L-12

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    联系人:赖先生

    电话:0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号

    资质:营业执照

  • 18652

  • ST

  • TO-220

  • 2024+

  • -
  • 顶级代理原装现货假一赔十

  • STP60NE03L-12
    STP60NE03L-12

    STP60NE03L-12

  • 深圳市澳亿芯电子科技有限公司
    深圳市澳亿芯电子科技有限公司

    联系人:李先生

    电话:86-755-8450174913760200702

    地址:深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706

    资质:营业执照

  • 3000

  • STM00

  • TO220

  • 假一赔十!

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  • 绝对原装现货!!

  • 1/1页 40条/页 共25条 
  • 1
STP60NE03L-12 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 制造商
  • STMICROELECTRONICS
  • 制造商全称
  • STMicroelectronics
  • 功能描述
  • N - CHANNEL 30V - 0.009 ohm - 60A - T0-220 STripFET POWER MOSFET
STP60NE03L-12 技术参数
  • STP60N55F3 功能描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):55V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):8.5 毫欧 @ 32A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):45nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2200pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STP60N3LH5 功能描述:MOSFET N-CH 30V 48A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):48A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):8.4 毫欧 @ 24A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):8.8nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1350pF @ 25V 功率 - 最大值:60W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STP5NK90Z 功能描述:MOSFET N-CH 900V 4.5A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):900V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.5 欧姆 @ 2.25A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):41.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1160pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STP5NK80ZFP 功能描述:MOSFET N-CH 800V 4.3A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):800V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4.3A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.4 欧姆 @ 2.15A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):45.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):910pF @ 25V 功率 - 最大值:30W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STP5NK80Z 功能描述:MOSFET N-CH 800V 4.3A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):800V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4.3A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.4 欧姆 @ 2.15A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):45.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):910pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STP65NF06 STP6C0.2M STP6C0.2MBL STP6C0.2MBU STP6C0.2MGR STP6C0.2MGY STP6C0.2MIG STP6C0.2MRD STP6C0.2MYL STP6C0.5M STP6C0.5MBL STP6C0.5MBU STP6C0.5MGR STP6C0.5MGY STP6C0.5MIG STP6C0.5MRD STP6C0.5MYL STP6C1.5M
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