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STP60NF06G

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  • STP60NF06G
    STP60NF06G

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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 6405

  • TO-220

  • ST

  • 0547+

  • -
  • 全新原装现货

  • 1/1页 40条/页 共4条 
  • 1
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STP60NF06G 技术参数
  • STP60NF06FP 功能描述:MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):30A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):16 毫欧 @ 30A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):66nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1810pF @ 25V 功率 - 最大值:30W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STP60NF06 功能描述:MOSFET N-CH 60V 60A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):60A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):16 毫欧 @ 30A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):73nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1660pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STP60NF03L 功能描述:MOSFET N-CH 30V 60A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):60A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):10 毫欧 @ 30A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):58nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2550pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作温度:175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STP60NE06-16 功能描述:MOSFET N-CH 60V 60A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):60A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):16 毫欧 @ 30A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):160nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):6200pF @ 25V 功率 - 最大值:150W 工作温度:175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STP60N55F3 功能描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):55V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):8.5 毫欧 @ 32A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):45nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2200pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STP6C0.2MGY STP6C0.2MIG STP6C0.2MRD STP6C0.2MYL STP6C0.5M STP6C0.5MBL STP6C0.5MBU STP6C0.5MGR STP6C0.5MGY STP6C0.5MIG STP6C0.5MRD STP6C0.5MYL STP6C1.5M STP6C1.5MBL STP6C1.5MBU STP6C1.5MGR STP6C1.5MGY STP6C1.5MIG
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