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STP6X11MIG

配单专家企业名单
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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:史仙雁

    电话:19129911934(手机优先微信同号)0755-82813018

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

  • 1900

  • Panduit

  • ROHS

  • 1322+

  • -
  • 全新原装正品 欢迎来电0755-8286...

  • STP6X11MIG
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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:何芝

    电话:19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 3620

  • Panduit

  • ROHS

  • 201305+

  • -
  • 原装正品,现货库存。400-800-03...

  • 1/1页 40条/页 共40条 
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  • 功能描述
  • 电缆组件 Copper Patch Cord 6A 11m Int’l Gray
  • RoHS
  • 制造商
  • Molex
  • 产品
  • Power Assemblies
  • 类型
  • Cable Assembly
  • 连接器端口 A
  • No Connector
  • 连接器端口 A 管脚计数
  • 4
  • 连接器端口 B
  • No Connector
  • 连接器端口 B 管脚计数
  • 型式
  • Male
  • 线规 - 美国线规(AWG)
  • 20, 28
  • 长度
  • 0.305 m
  • 颜色
  • Black, Red
STP6X11MIG 技术参数
  • STP6NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 4.6A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4.6A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):920 毫欧 @ 2.3A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):13nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):420pF @ 50V 功率 - 最大值:45W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:1 STP6NK90ZFP 功能描述:MOSFET N-CH 900V 5.8A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):900V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5.8A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2 欧姆 @ 2.9A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):60.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1350pF @ 25V 功率 - 最大值:30W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STP6NK90Z 功能描述:MOSFET N-CH 900V 5.8A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):900V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5.8A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2 欧姆 @ 2.9A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):60.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1350pF @ 25V 功率 - 最大值:140W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STP6NK60ZFP 功能描述:MOSFET N-CH 600V 6A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.2 欧姆 @ 3A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):46nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):905pF @ 25V 功率 - 最大值:30W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STP6NK60Z 功能描述:MOSFET N-CH 600V 6A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.2 欧姆 @ 3A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):46nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):905pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STP6X120BL STP6X120BU STP6X120GR STP6X120IG STP6X120OR STP6X120RD STP6X120VL STP6X120YL STP6X125BL STP6X125BU STP6X125GR STP6X125IG STP6X125OR STP6X125RD STP6X125VL STP6X125YL STP6X12BL STP6X12BL-Q
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