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STSA1805-AP

配单专家企业名单
  • 型号
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  • 封装
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  • 说明
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  • STSA1805-AP
    STSA1805-AP

    STSA1805-AP

  • 深圳市华盛锦科技有限公司
    深圳市华盛锦科技有限公司

    联系人:雷小姐

    电话:0755-2391507123915070(承诺只售原装正品,终端BOM配单一站式服务)

    地址:华强街道赛格广场55楼5566室

    资质:营业执照

  • 65200

  • ST/意法

  • TO-92

  • 2020+

  • -
  • 大中華區授權代理可接受訂貨

  • STSA1805-AP
    STSA1805-AP

    STSA1805-AP

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-62962871629687318256329162961347

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 0

  • 原厂封装

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百正品现货 电话010-621049...

  • STSA1805-AP
    STSA1805-AP

    STSA1805-AP

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 99800

  • STM

  • TO-92

  • 11+

  • -
  • 全新原装现货

  • STSA1805-AP
    STSA1805-AP

    STSA1805-AP

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:何芝

    电话:19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 3526

  • ST

  • TO-92AP

  • 14+

  • -
  • 原装正品,现货库存,400-800-03...

  • STSA1805-AP
    STSA1805-AP

    STSA1805-AP

  • 深圳市新纳斯科技有限公司
    深圳市新纳斯科技有限公司

    联系人:王小姐

    电话:0755-8363553213751165621

    地址:深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室

    资质:营业执照

  • 1387

  • STMicroelectronics

  • TO-226-3,TO-92-3(TO-

  • 17+

  • -
  • 原装正品,授权分销商现货库存,价优,货期...

  • 1/1页 40条/页 共21条 
  • 1
STSA1805-AP PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • 两极晶体管 - BJT POWER MOSFET
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 配置
  • 晶体管极性
  • PNP
  • 集电极—基极电压 VCBO
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO
  • - 40 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO
  • - 6 V
  • 集电极—射极饱和电压
  • 最大直流电集电极电流
  • 增益带宽产品fT
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min
  • 100 A
  • 最大工作温度
  • 安装风格
  • SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
  • PowerFLAT 2 x 2
STSA1805-AP 技术参数
  • STSA1805 功能描述:TRANS NPN 60V 5A TO-92 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):5A 电压 - 集射极击穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):600mV @ 200mA,5A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):200 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:1.1W 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) 供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,500 STS9P2UH7 功能描述:MOSFET P-CH 20V 9A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):9A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):22.5 毫欧 @ 4.5A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):22nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2390pF @ 16V 功率 - 最大值:2.7W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 STS9NH3LL 功能描述:MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):9A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):22 毫欧 @ 4.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):10nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):857pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 STS9NF3LL 功能描述:MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):9A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):19 毫欧 @ 4.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):17nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):800pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 STS9NF30L 功能描述:MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):9A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):20 毫欧 @ 4.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):12.5nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):730pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 STSJ100NHS3LL STSJ25NF3LL STSJ50NH3LL STSJ60NH3LL STSMIA832TBR STSPIN230 STSPIN240 STSPIN250 STSPIN32F0 STSPIN32F0A STSPIN32F0ATR STSPIN32F0TR STSPIN820 STSR2PCD-TR ST-SS STT0001 STT0019 STT-101
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