STSA230RA04

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说明
操作

STSA230RA04
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
10000
TE CONNECTIVITY / ALCOSWI
标准封装
15+
-
原装正品质量保障

STSA230RA04
深圳市铭昌源科技有限公司
深圳市铭昌源科技有限公司
联系人：优质现货代理商
电话：0755-82774613邓先生（13480915249）微信同步0755-82774613邓先生
地址：深圳市福田区工发路上步管理大厦501栋501室
资质：营业执照
9964
TE Connectivity
SMD
22+
-
授权分销商，可追溯原厂可含税

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1

您是不是要找： STSA230RA1 STSA851 STSA851-AP STSB43AB22APDTG4 STSB43AB23PDT STSC1 STSD-002GG-P0.6(LF)(SN) STSJ100NH3LL STSJ100NHS3LL

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功能描述
滑动开关 DP3T R/A SLIDE SWITCH BLK
RoHS
否
制造商
C&K Components
触点形式
SPDT
开关功能
Momentary
触点额定值
端接类型
执行器
Extended, Side
安装风格
SMD/SMT
触点电镀
Silver
封装

STSA230RA04 技术参数

STSA1805-AP 功能描述:TRANS NPN 60V 5A TO-92 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 200mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:1.1W 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92AP 标准包装:1 STSA1805 功能描述:TRANS NPN 60V 5A TO-92 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:散装零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 200mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:1.1W 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,500 STS9P2UH7 功能描述:MOSFET P-CH 20V 9A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:22.5 毫欧 @ 4.5A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:22nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2390pF @ 16V 功率 - 最大值:2.7W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 STS9NH3LL 功能描述:MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:22 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:10nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:857pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 STS9NF3LL 功能描述:MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:19 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:17nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:800pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 STSJ25NF3LL STSJ50NH3LL STSJ60NH3LL STSMIA832TBR STSPIN230 STSPIN240 STSPIN250 STSPIN32F0 STSPIN32F0A STSPIN32F0ATR STSPIN32F0TR STSPIN820 STSR2PCD-TR ST-SS STT0001 STT0019 STT-101 STT-102