STTH810GTR

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STTH810GTR 技术参数

STTH810FP 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 8A TO220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（Io）:8A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:2V @ 8A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:85ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1000V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-2 全封装，隔离接片供应商器件封装:TO-220FPAC 工作温度 - 结:175°C（最大）标准包装:50 STTH810DI 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 8A TO220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（Io）:8A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:2V @ 8A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:85ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1000V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220Ins 工作温度 - 结:175°C（最大）标准包装:50 STTH810D 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 8A TO220AC 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（Io）:8A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:2V @ 8A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:85ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1000V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-2 供应商器件封装:TO-220AC 工作温度 - 结:175°C（最大）标准包装:50 STTH80S06W 功能描述:DIODE TURBO2 600V 80A DO247 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:80A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:2.2V @ 20A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:75ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-247-2（直引线）供应商器件封装:DO-247 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C 标准包装:30 STTH806TTI 功能描述:Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 600V 8A Through Hole TO-220-3 制造商:stmicroelectronics 系列:TURBOSWITCH?? 包装:管件零件状态:有效二极管配置:1 对串联二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:8A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:3.6V @ 8A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:30ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 600V 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 绝缘标准包装:50 STTH8L02DDJFY-TR STTH8L06D STTH8L06DIRG STTH8L06FP STTH8L06G STTH8L06G-TR STTH8R02DDJFY-TR STTH8R03D STTH8R03DJF-TR STTH8R04D STTH8R04DI STTH8R04FP STTH8R04G STTH8R04G-TR STTH8R06D STTH8R06DIRG STTH8R06FP STTH8R06G