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STTM33BV14T

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  • 深圳市一线半导体有限公司
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  • 永利电子元器件深圳有限公司
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STTM33BV14T 技术参数
  • STTH9012TV2 功能描述:Diode Array 2 Independent Standard 1200V (1.2kV) 45A Chassis Mount ISOTOP 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 二极管配置:2 个独立式 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):1200V(1.2kV) 电流 - 平均整流(Io)(每二极管):45A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):2.1V @ 45A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):125ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:30μA @ 1200V 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:10 STTH9012TV1 功能描述:Diode Array 2 Independent Standard 1200V (1.2kV) 45A Chassis Mount ISOTOP 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 二极管配置:2 个独立式 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):1200V(1.2kV) 电流 - 平均整流(Io)(每二极管):45A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):2.1V @ 45A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):125ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:30μA @ 1200V 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:10 STTH8T06DI 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 电流 - 平均整流(Io):8A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):2.95V @ 8A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):30ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 600V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-2 绝缘,TO-220AC 供应商器件封装:TO-220AC ins 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C 标准包装:50 STTH8ST06DI 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 电流 - 平均整流(Io):8A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):3.4V @ 8A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):17ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:6μA @ 600V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-2 绝缘,TO-220AC 供应商器件封装:TO-220AC ins 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C 标准包装:50 STTH8S12D 功能描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220AC 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):1200V(1.2kV) 电流 - 平均整流(Io):8A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):2.7V @ 8A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):45ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1200V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-2 供应商器件封装:TO-220AC 工作温度 - 结:175°C(最大) 标准包装:50 STTS751-1DP3F STTS75DS2F STTS75M2E STTS75M2F STU10(PA) STU10(RA) STU10(SA) STU10(TA) STU10(UA) STU10N60M2 STU10NM60N STU10NM65N STU10P6F6 STU11N65M2 STU11NM60ND STU12N60M2 STU12N65M5 STU13005N
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