STY60NA20

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

STY60NA20
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
ST
NULL
NULL
-
假一罚十，百分百原装正品

STY60NA20
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
16800
ST/意法
TO-247
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

STY60NA20
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
联系人：欧阳先生
电话：13714291754
地址：广东省深圳市福田区华强北上航大厦西座四层
5000
ST
TO-3P
10+
-
原装现货优势库存

STY60NA20
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889159
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
5000
isc,iscsemi
TO-247
2024+
-
国产品牌，可替代原装

STY60NA20
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
ST
原厂封装
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！！

1/1页 40条/页共26条
1

您是不是要找： STY60NK30Z STY60NM50 STY60NM60 STY80NM60N STZ5.6NT146 STZ6.2NFHT146 STZ6.2NT146 STZ6.8NT146 STZ6.8TT146

STY60NA20 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

STY60NA20 PDF下载

制造商
STMICROELECTRONICS
制造商全称
STMicroelectronics
功能描述
N - CHANNEL 200V - 0.030ohm - 60 A - Max247 FAST POWER MOS TRANSISTOR

STY60NA20 技术参数

STY50N105DK5 功能描述:MOSFET N-CH 1050V 44A MAX247 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:1050V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:44A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:175nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:6600pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:625W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:120 毫欧 @ 22A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:通孔供应商器件封装:MAX247? 封装/外壳:TO-247-3 标准包装:30 STY34NB50 功能描述:MOSFET N-CH 500V 34A MAX247 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:34A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:130 毫欧 @ 17A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:223nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:9100pF @ 25V 功率 - 最大值:450W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:MAX247? 标准包装:30 STY30NK90Z 功能描述:MOSFET N-CH 900V 26A MAX247 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:900V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:26A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:260 毫欧 @ 14A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 150μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:490nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:12000pF @ 25V 功率 - 最大值:450W 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:MAX247? 标准包装:30 STY145N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 138A MAX247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:138A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:15 毫欧 @ 69A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:414nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:18500pF @ 100V 功率 - 最大值:625W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:MAX247? 标准包装:30 STY140NS10 功能描述:MOSFET N-CH 100V 140A MAX247 制造商:stmicroelectronics 系列:MESH OVERLAY?? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:140A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:11 毫欧 @ 70A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:600nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:12600pF @ 25V 功率 - 最大值:450W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:MAX247? 标准包装:30 STZB-SK/RAIS STZC6.8NT146 STZD3155CT1G SU-1 SU-1/2 SU-1/4 SU-10 SU10000RT3U SU10000RT3U2TF SU10000RT3UG SU1000RTXL2U SU1000RTXL2UA SU1000RTXL2UN SU1000RTXLCD2U SU1000XLA SU1000XLCD SU10K SU10K3/1X