STZT2222A

配单专家企业名单

型号
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数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

STZT2222A
深圳市源运电子商行
深圳市源运电子商行
联系人：林先生
电话：15913992480
地址：深圳市龙岗区板田街道荔园新村55栋1楼
45000
ST
SOT223
16+
-

STZT2222A
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
5000
-
假一罚十，百分百原装正品

STZT2222A
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
ST
SOT-223
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

STZT2222A
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-837892031333298700517727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
11630
ST
原厂原装
18+
-
原装正品，优势供应

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1

您是不是要找： SU-1 SU-1/2 SU-1/4 SU-10 SU10000RT3U SU10000RT3U2TF SU10000RT3UG SU1000RTXL2U SU1000RTXL2UA

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功能描述
两极晶体管 - BJT NPN General Purpose
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
配置
晶体管极性
PNP
集电极—基极电压 VCBO
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 6 V
集电极—射极饱和电压
最大直流电集电极电流
增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe Min
100 A
最大工作温度
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT 2 x 2

STZT2222A 技术参数

STZB-SK/RAIS 功能描述:KIT EVAL REVA FOR ZIGBEE 制造商:stmicroelectronics 系列:Raisonance 零件状态:过期类型:802.15.4/Zigbee 频率:2.4GHz 配套使用产品/相关产品:SNRCM-260 所含物品:2 个板，软件标准包装:1 STY80NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 74A MAX247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:74A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:35 毫欧 @ 37A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:360nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:10100pF @ 50V 功率 - 最大值:447W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:MAX247? 标准包装:30 STY60NM60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 60A MAX247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:60A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:55 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:266nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7300pF @ 25V 功率 - 最大值:560W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:MAX247? 标准包装:30 STY60NM50 功能描述:MOSFET N-CH 500V 60A MAX247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:60A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:50 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:266nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7500pF @ 25V 功率 - 最大值:560W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:MAX247? 标准包装:30 STY60NK30Z 功能描述:MOSFET N-CH 300V 60A MAX247 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:300V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:60A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:45 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:220nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7200pF @ 25V 功率 - 最大值:450W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:MAX247? 标准包装:30 SU1000RTXL2UN SU1000RTXLCD2U SU1000XLA SU1000XLCD SU10K SU10K3/1X SU10KRT3U SU10KRT3UHV SU10VD-20010 SU10VFC-R03370 SU10VFC-R04250 SU10VFC-R05140 SU10VFC-R07088 SU10VFC-R10045 SU10VFC-R13025 SU10VFC-R15019 SU10VFC-R20010 SU12000RT4U