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SVD4N60M

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    SVD4N60M(J)

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  • 深圳市亿联芯电子科技有限公司
    深圳市亿联芯电子科技有限公司

    联系人:吴经理

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    地址:深圳市福田区赛格科技园4栋中7楼7B30

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  • SVD4N60M
    SVD4N60M

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

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  • 深圳市博盛源科技有限公司
    深圳市博盛源科技有限公司

    联系人:朱先生

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SVD4N60M 技术参数
  • SV-CN1 功能描述:CREVICE TOOL 制造商:scs 系列:- 零件状态:有效 配件类型:喷嘴 配套使用产品/相关产品:497真空 标准包装:1 SVC710-TL-E 功能描述:DIODE VARACTOR 15V MCPH3 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 不同?Vr,F 时的电容:4.8pF @ 4V,1MHz 电容比:4.8 电容比条件:C1/C4 电压 - 峰值反向(最大值):15V 二极管类型:单一 不同 Vr,F 时的 Q 值:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:3-SMD,扁平引线 供应商器件封装:3-MCPH 标准包装:1 SVC389-TL-E 功能描述:DIODE VARACTOR 16V CPH3 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 不同?Vr,F 时的电容:24pF @ 8V,1MHz 电容比:19.5 电容比条件:C1/C8 电压 - 峰值反向(最大值):16V 二极管类型:1 对共阴极 不同 Vr,F 时的 Q 值:200 @ 1V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-96 供应商器件封装:3-CPH 标准包装:1 SVC383T-TL-E 功能描述:DIODE VARACTOR 33V CPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 不同?Vr,F 时的电容:27pF @ 6.5V,1MHz 电容比:24.5 电容比条件:C1/C6.5 电压 - 峰值反向(最大值):33V 二极管类型:1 对共阴极 不同 Vr,F 时的 Q 值:200 @ 1V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-96 供应商器件封装:3-CPH 标准包装:1 SVC276-TL-E 功能描述:DIODE VARACTOR 16V MCPH3 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 不同?Vr,F 时的电容:23.78pF @ 8V,1MHz 电容比:3.1 电容比条件:C2/C8 电压 - 峰值反向(最大值):16V 二极管类型:1 对共阴极 不同 Vr,F 时的 Q 值:100 @ 2V,100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:3-SMD,鸥翼型 供应商器件封装:3-MCPH 标准包装:1 SVF312R3K1CKU2 SVF321R3K1CKU2 SVF322R3K1CKU2 SVF331R3K1CKU2R SVF331R3K2CKU2R SVF332R3K1CKU2R SVF332R3K2CKU2R SVF-42T-P2.0 SVF511R3K1CMK4 SVF512R3K1CMK4 SVF521R3K1CMK4 SVF522R2K1CMK4 SVF522R3K1CMK4 SVF532R2K1CMK4R SVF532R2K2CMK4R SVF532R3K1CMK4 SVF-61T-P2.0 SVF-81T-P2.0
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