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SZNUF4402MNT1G

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  • 中山市翔美达电子科技有限公司
    中山市翔美达电子科技有限公司

    联系人:朱小姐

    电话:155020706551802218672813590991023

    地址:火炬开发区中山港大道99号金盛广场1栋613室

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SZNUF4402MNT1G 技术参数
  • SZNUD3160LT1G 功能描述:功率驱动器IC MI INDSTR LOAD DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube SZNUD3160DMT1G 功能描述:功率驱动器IC 60V DUAL INDUCTIVE LOAD D RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube SZNUD3124LT1G 功能描述:功率驱动器IC MI INDCTV LOAD DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube SZNUD3124DMT1G 功能描述:功率驱动器IC 24 V DUAL INDUCTIVE LOAD RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube SZL-WL-K-N 功能描述:SWITCH SNAP ACTION SPDT 10A 125V 制造商:honeywell sensing and productivity solutions 系列:SZL-WL 包装:散装 零件状态:有效 电路:SPDT-DB 开关功能:开-瞬时 额定电流:10A(AC),6A(DC) 额定电压 - AC:125V 额定电压 - DC:30V 致动器类型:螺旋弹簧 安装类型:底座安装 端子类型:螺丝端子 侵入防护:IP67 - 防尘,防水 特性:- 操作力,扭矩:150gf 释放力:- 预行程:0.787"(20.0mm) 差动行程:- 超行程:- 工作位置:0.787"(20.0mm) 机械寿命:10,000,000 次循环 电气寿命:750,000 次循环 工作温度:-10°C ~ 80°C 标准包装:5 SZNUP2125WTT3G SZNUP2301MW6T1G SZNUP3105LT1G SZNUP3105LT3G SZNUP3112UPMUTAG SZNUP4016P5T5G SZNUP4114HMR6T1G SZNUP4114UCLW1T2G SZNUP4301MR6T1G SZNUP4304MR6T1G SZNZ3F10VT1G SZNZ3F12VT1G SZNZ3F15VT1G SZNZ3F18VT1G SZNZ3F2V4T1G SZNZ3F33VT1G SZNZ3F47VT1G SZNZ3F4V7T1G
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