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SZP303906RL

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  • 北京元坤伟业科技有限公司
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    联系人:刘先生

    电话:010-6210479162106431621045786210493162104891

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

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SZP303906RL 技术参数
  • SZNUD3160LT1G 功能描述:功率驱动器IC MI INDSTR LOAD DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube SZNUD3160DMT1G 功能描述:功率驱动器IC 60V DUAL INDUCTIVE LOAD D RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube SZNUD3124LT1G 功能描述:功率驱动器IC MI INDCTV LOAD DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube SZNUD3124DMT1G 功能描述:功率驱动器IC 24 V DUAL INDUCTIVE LOAD RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube SZL-WL-K-N 功能描述:SWITCH SNAP ACTION SPDT 10A 125V 制造商:honeywell sensing and productivity solutions 系列:SZL-WL 包装:散装 零件状态:有效 电路:SPDT-DB 开关功能:开-瞬时 额定电流:10A(AC),6A(DC) 额定电压 - AC:125V 额定电压 - DC:30V 致动器类型:螺旋弹簧 安装类型:底座安装 端子类型:螺丝端子 侵入防护:IP67 - 防尘,防水 特性:- 操作力,扭矩:150gf 释放力:- 预行程:0.787"(20.0mm) 差动行程:- 超行程:- 工作位置:0.787"(20.0mm) 机械寿命:10,000,000 次循环 电气寿命:750,000 次循环 工作温度:-10°C ~ 80°C 标准包装:5 SZP6SMB15CAT3G SZP6SMB160AT3G SZP6SMB16AT3G SZP6SMB16CAT3G SZP6SMB180AT3G SZP6SMB18AT3G SZP6SMB18CAT3G SZP6SMB200AT3G SZP6SMB20AT3G SZP6SMB20CAT3G SZP6SMB22AT3G SZP6SMB22CAT3G SZP6SMB24AT3G SZP6SMB24CAT3G SZP6SMB27AT3G SZP6SMB27CAT3G SZP6SMB30AT3G SZP6SMB30CAT3G
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