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TPS1641

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  • TPS1641EVM
    TPS1641EVM

    TPS1641EVM

  • 天阳诚业科贸有限公司
    天阳诚业科贸有限公司

    联系人:洪宝宇

    电话:17862669251

    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503

    资质:营业执照

  • 1000

  • Texas Instruments

  • con

  • 22

  • -
  • 现货原装 查价格、订购可到京北通宇商城w...

  • TPS1641EVM
    TPS1641EVM

    TPS1641EVM

  • 深圳市德力诚信科技有限公司
    深圳市德力诚信科技有限公司

    联系人:王小姐

    电话:13305449939

    地址:深圳市福田区深南中路3031号汉国中心3204室

    资质:营业执照

  • 1000

  • Texas Instruments

  • con

  • 22

  • -
  • 现货原装 查价格、订购可到京北通宇商城w...

  • TPS1641
    TPS1641

    TPS1641

  • 深圳市恒科翔业电子有限公司
    深圳市恒科翔业电子有限公司

    联系人:

    电话:0755-8323836017302646294

    地址:华强北路华强广场B座27D

  • 24000

  • TI德州仪器

  • 22+

  • -
  • 原装正品现货,实单可谈,量大价优

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TPS1641 技术参数
  • TPS1120DR 功能描述:MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC 制造商:texas instruments 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:2 个 P 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):15V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1.17A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):180 毫欧 @ 1.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):5.45nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 功率 - 最大值:840mW 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 TPS1120D 功能描述:MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC 制造商:texas instruments 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:2 个 P 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):15V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1.17A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):180 毫欧 @ 1.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):5.45nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 功率 - 最大值:840mW 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:75 TPS1101PWR 功能描述:MOSFET P-CH 15V 2.18A 16-TSSOP 制造商:texas instruments 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):15V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.18A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):90 毫欧 @ 2.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):11.25nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 功率 - 最大值:710mW 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:16-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) 供应商器件封装:16-TSSOP 标准包装:1 TPS1101D 功能描述:MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC 制造商:texas instruments 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):15V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.3A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):90 毫欧 @ 2.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):11.25nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 功率 - 最大值:791mW 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:75 TPS1100PWR 功能描述:MOSFET P-CH 15V 1.27A 8-TSSOP 制造商:texas instruments 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):15V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1.27A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):180 毫欧 @ 1.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):5.45nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 功率 - 最大值:504mW 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) 供应商器件封装:8-TSSOP 标准包装:1 TPS2000CDGNR TPS2001CDGK TPS2001CDGKR TPS2001CDGN TPS2001CDGNEVM-635 TPS2001CDGNR TPS2001DDBVR TPS2001DDBVT TPS2001DDGK TPS2001DDGKR TPS2002CDRCR TPS2002CDRCT TPS2003CDRCR TPS2003CDRCT TPS2003CEVM-016 TPS2010AD TPS2010ADG4 TPS2010ADR
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