TS80C52X2DNW-MCA

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TS80C52X2DNW-MCA
北京京华特科技有限公司
北京京华特科技有限公司
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电话：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝阳区建国门外大街9号楼603室
3973
ATMEL
DIP
209
-
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TS80C52X2DNW-MCA
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
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TS80C52X2DNW-MCA 技术参数

TS80C51RD2-VIE 功能描述:IC MCU 8BIT 768BYTE 40MHZ 44VQFP RoHS:否类别:集成电路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器，系列:80C 标准包装:1,500 系列:AVR® ATtiny 核心处理器:AVR 芯体尺寸:8-位速度:16MHz 连通性:I²C，LIN，SPI，UART/USART，USI 外围设备:欠压检测/复位，POR，PWM，温度传感器，WDT 输入/输出数:16 程序存储器容量:8KB（4K x 16）程序存储器类型:闪存 EEPROM 大小:512 x 8 RAM 容量:512 x 8 电压 - 电源 (Vcc/Vdd):2.7 V ~ 5.5 V 数据转换器:A/D 11x10b 振荡器型:内部工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）包装:带卷 (TR) TS80C51RD2-VIB 功能描述:IC MCU 8BIT 768BYTE 40MHZ 44PLCC RoHS:否类别:集成电路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器，系列:80C 标准包装:1,500 系列:AVR® ATtiny 核心处理器:AVR 芯体尺寸:8-位速度:16MHz 连通性:I²C，LIN，SPI，UART/USART，USI 外围设备:欠压检测/复位，POR，PWM，温度传感器，WDT 输入/输出数:16 程序存储器容量:8KB（4K x 16）程序存储器类型:闪存 EEPROM 大小:512 x 8 RAM 容量:512 x 8 电压 - 电源 (Vcc/Vdd):2.7 V ~ 5.5 V 数据转换器:A/D 11x10b 振荡器型:内部工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）包装:带卷 (TR) TS80C51RD2-VIA 功能描述:IC MCU 8BIT 768BYTE 40MHZ 40-DIP RoHS:否类别:集成电路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器，系列:80C 标准包装:9 系列:87C 核心处理器:8051 芯体尺寸:8-位速度:40/20MHz 连通性:UART/USART 外围设备:POR，WDT 输入/输出数:32 程序存储器容量:32KB（32K x 8）程序存储器类型:OTP EEPROM 大小:- RAM 容量:256 x 8 电压 - 电源 (Vcc/Vdd):4.5 V ~ 5.5 V 数据转换器:- 振荡器型:内部工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:40-DIP（0.600"，15.24mm）包装:管件 TS80C51RD2-VCE 功能描述:IC MCU 8BIT 768BYTE 40MHZ 44VQFP RoHS:否类别:集成电路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器，系列:80C 标准包装:1,500 系列:AVR® ATtiny 核心处理器:AVR 芯体尺寸:8-位速度:16MHz 连通性:I²C，LIN，SPI，UART/USART，USI 外围设备:欠压检测/复位，POR，PWM，温度传感器，WDT 输入/输出数:16 程序存储器容量:8KB（4K x 16）程序存储器类型:闪存 EEPROM 大小:512 x 8 RAM 容量:512 x 8 电压 - 电源 (Vcc/Vdd):2.7 V ~ 5.5 V 数据转换器:A/D 11x10b 振荡器型:内部工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）包装:带卷 (TR) TS80C51RD2-VCB 功能描述:IC MCU 8BIT 768BYTE 40MHZ 44PLCC RoHS:否类别:集成电路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器，系列:80C 标准包装:1,500 系列:AVR® ATtiny 核心处理器:AVR 芯体尺寸:8-位速度:16MHz 连通性:I²C，LIN，SPI，UART/USART，USI 外围设备:欠压检测/复位，POR，PWM，温度传感器，WDT 输入/输出数:16 程序存储器容量:8KB（4K x 16）程序存储器类型:闪存 EEPROM 大小:512 x 8 RAM 容量:512 x 8 电压 - 电源 (Vcc/Vdd):2.7 V ~ 5.5 V 数据转换器:A/D 11x10b 振荡器型:内部工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）包装:带卷 (TR) TS820-600H TS820-600T TS820-700T TS821AILT TS821AIZ TS821AIZ-AP TS821AIZT TS821BILT TS821BIZ TS821BIZ-AP TS821BIZT TS821ILT TS821IZ TS821IZ-AP TS821IZT TS822AILT TS822AIZ TS822AIZ-AP