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UCC27216DPRT

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UCC27216DPRT
现货
集好芯城
集好芯城
联系人：张育豪 13360528695
电话：0755-23607487
地址：深圳市福田区华富路1006号航都大厦11楼一层
资质：营业执照
9267
TI/德州仪器
WSON14
22+
-
原厂原装现货

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UCC27216DPRT 技术参数

UCC27212DPRT 功能描述:IC HALF-BRIDGE GATE DRVR 10WSON 制造商:texas instruments 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售驱动配置:半桥通道类型:独立式驱动器数:2 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:5 V ~ 17 V 逻辑电压?- VIL，VIH:1.2V，2.55V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4A，4A 输入类型:非反相高压侧电压 - 最大值（自举）:100V 上升/下降时间（典型值）:7.8ns，6ns 工作温度:-40°C ~ 140°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:10-WDFN 裸露焊盘供应商器件封装:10-WSON（4x4）标准包装:1 UCC27211DRMT 功能描述:功率驱动器IC 120V Boot,4A Peak,Hi Freq Hi/Lo-Side Drvr RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube UCC27211DRMR 功能描述:功率驱动器IC 120V Boot,4A Peak,Hi Freq Hi/Lo-Side Drvr RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube UCC27211DR 功能描述:功率驱动器IC 120V Boot,4A Peak,Hi Freq Hi/Lo-Side Drvr RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube UCC27211DPRT 功能描述:功率驱动器IC 120V Boot,4A Peak,Hi Freq Hi/Lo-Side Drvr RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube UCC27223PWP UCC27223PWPG4 UCC27223PWPR UCC27321D UCC27321DG4 UCC27321DGN UCC27321DGNG4 UCC27321DGNR UCC27321DR UCC27321DRG4 UCC27321P UCC27321PE4 UCC27321PG4 UCC27321QDRQ1 UCC27322D UCC27322DG4 UCC27322DGN UCC27322DGNG4