ULN2003LVDRG4

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ULN2003LVDRG4
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资质：营业执照
78900
TI/德州仪器
SOP
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ULN2003LVDRG4
深圳市华芯盛世科技有限公司
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81253
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ULN2003LVDRG4 技术参数

ULN2003LVDR 功能描述:达林顿晶体管 Low Pwr 3.3V & 5V Relay Driver RoHS:否制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel ULN2003D1013TR 功能描述:TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:7 NPN 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 500μA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 350mA，2V 功率 - 最大值:- 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:16-SO 标准包装:1 ULN2003BPWR 功能描述:TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16TSSOP 制造商:texas instruments 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:7 NPN 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 500μA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:- 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:16-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）供应商器件封装:16-TSSOP 标准包装:1 ULN2003BN 功能描述:TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP 制造商:texas instruments 系列:- 包装:管件零件状态:有效晶体管类型:7 NPN 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 500μA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:- 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:16-DIP（0.300"，7.62mm）供应商器件封装:16-PDIP 标准包装:25 ULN2003BDR 功能描述:TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO 制造商:texas instruments 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:7 NPN 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 500μA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:- 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:16-SOIC 标准包装:1 ULN2004ADG4 ULN2004ADR ULN2004ADRE4 ULN2004ADRG4 ULN2004AFWG,N,E ULN2004AID ULN2004AIDG4 ULN2004AIDR ULN2004AIN ULN2004AINS ULN2004AINSE4 ULN2004AINSG4 ULN2004AINSR ULN2004AINSRG4 ULN2004AN ULN2004ANE4 ULN2004ANG4 ULN2004ANSR