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VN5E016LFATR-E

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  • 深圳市澳亿芯电子科技有限公司
    深圳市澳亿芯电子科技有限公司

    联系人:李先生

    电话:86-755-8450174913760200702

    地址:深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706

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  • 深圳市华芯源电子有限公司
    深圳市华芯源电子有限公司

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  • VN5E016LFATR-E
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  • 深圳市百域芯科技有限公司
    深圳市百域芯科技有限公司

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VN5E016LFATR-E PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
VN5E016LFATR-E 技术参数
  • VN5E016AHTR-E 功能描述:功率驱动器IC HI-SIDE DRVR W/ANALOG CRRNT SNSE RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube VN5E016AH-E 功能描述:功率驱动器IC 16 mOhm High-Side Driver 41 Vcc 73A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube VN5E016AFHTR-E 功能描述:功率驱动器IC 16mOhm High Side 41V 4.5 to 28V 73A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube VN5E010MHTR-E 功能描述:功率驱动器IC SNGL CH HI-SIDE DRVR W/ANALOG CRRNT SNSE RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube VN5E010MH-E 功能描述:功率驱动器IC 10 mOhm High-Side Driver 41 Vcc 85A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube VN5E050ASOTR-E VN5E050J-E VN5E050JTR-E VN5E050MJ-E VN5E050MJTR-E VN5E160AS-E VN5E160ASOTR-E VN5E160ASTR-E VN5E160MS-E VN5E160MSTR-E VN5E160S-E VN5E160STR-E VN5MB02-E VN5MB02TR-E VN5R003H-E VN5R003HTR-E VN5T006ASPTR-E VN5T016AHTR-E
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