VNQ830V3

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VNQ830V3 技术参数

VNQ830TR-E 功能描述:功率驱动器IC Quad Channel Hi-Side RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube VNQ830PTR-E 功能描述:功率驱动器IC Quad Ch HiSide Drivr RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube VNQ830PEPTR-E 功能描述:功率驱动器IC Quad Ch HiSide Drivr RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube VNQ830PEP-E 功能描述:功率驱动器IC Quad Ch HiSide Drivr RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube VNQ830P-E 功能描述:功率驱动器IC Quad Ch HiSide Drivr RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube VNS10-2031 VNS10-2050 VNS10-2051 VNS14NV04 VNS14NV0413TR VNS14NV04-E VNS14NV04PTR-E VNS14NV04TR-E VNS1NV04D-E VNS1NV04DP-E VNS1NV04DPTR-E VNS1NV04DTR-E VNS1NV04-E VNS1NV04P-E VNS1NV04PTR-E VNS1NV04TR-E VNS20-2020 VNS20-2031