VNW50N04-E

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说明
操作

VNW50N04-E
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
ST
标准封装
07+
-
全新原装100%正品保证质量

VNW50N04-E
北京元坤伟业科技有限公司
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联系人：刘先生
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地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
ST
原厂原包
07+
-

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功能描述
MOSFET N-Ch 42V 50A OmniFET
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

VNW50N04-E 技术参数

VNW50N04 功能描述:MOSFET N-Ch 42V 50A OmniFET RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube VNW100N04 功能描述:MOSFET N-Ch 100V 42A Omni RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube VNV49N0413TR 功能描述:电源开关 IC - 配电 OMNIFET POWER MOSFET RoHS:否制造商:Exar 输出端数量:1 开启电阻（最大值）:85 mOhms 开启时间（最大值）:400 us 关闭时间（最大值）:20 us 工作电源电压:3.2 V to 6.5 V 电源电流（最大值）: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-5 VNV49N04 功能描述:电源开关 IC - 配电 N-Ch 42V 49A OmniFET RoHS:否制造商:Exar 输出端数量:1 开启电阻（最大值）:85 mOhms 开启时间（最大值）:400 us 关闭时间（最大值）:20 us 工作电源电压:3.2 V to 6.5 V 电源电流（最大值）: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-5 VNV35NV04TR-E 功能描述:电源开关 IC - 配电 N-Ch 40V 30A OmniFET RoHS:否制造商:Exar 输出端数量:1 开启电阻（最大值）:85 mOhms 开启时间（最大值）:400 us 关闭时间（最大值）:20 us 工作电源电压:3.2 V to 6.5 V 电源电流（最大值）: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-5 VO04315000J0G VO0431510000G VO04315100J0G VO0432500000G VO04325000J0G VO0432510000G VO04325100J0G VO0600T VO0601T VO0601-X001T VO0611500000G VO06115000J0G VO0611510000G VO06115100J0G VO0611T VO0612500000G VO06125000J0G VO0612510000G